[发明专利]内连线结构及其形成方法

权利要求书

1.一种内连线结构，其特征在于其包括：

一基底；

一第一介电层，配置于该基底上且具有至少一开口；

一扩散层，配置于该第一介电层的一表面中；以及

一导体层，配置于该至少一开口中。

2.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于其中该扩散层包括一富电子层。

3.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于其中该富电子层包括掺杂磷层、掺杂硫层或其组合。

4.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于其中该扩散层包括一N型掺杂层。

5.根据权利要求4所述的内连线结构，其特征在于其中该N型掺杂层包括掺杂磷层、掺杂硫层或其组合。

6.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于其中该表面包括一顶表面及一侧表面。

7.根据权利要求6所述的内连线结构，其特征在于其中该扩散层配置于该第一介电层的该顶表面中。

8.根据权利要求7所述的内连线结构，其特征在于其还包括一阻障层，配置于该导体层与该第一介电层之间。

9.根据权利要求7所述的内连线结构，其特征在于其中该扩散层还配置于该第一介电层的该侧表面中。

10.根据权利要求9所述的内连线结构，其特征在于其还包括一阻障层，配置于该导体层与该扩散层之间。

11.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于其还包括一第二介电层，配置于该第一介电层及该导体层上。

12.一种内连线结构，其特征在于其包括：

一基底；

一第一介电层，配置于该基底上且具有至少一开口；

一富电子层，位于该第一介电层的一表面中；以及

一导体层，配置于该至少一开口中。

13.一种内连线结构的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：

在一基底上形成一第一介电层；

在该第一介电层中形成至少一开口；

在该第一介电层的一表面中形成一扩散层；以及

在该至少一开口中形成一导体层。

14.根据权利要求13所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其中该表面包括一顶表面及一侧表面。

15.根据权利要求14所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其中在该第一介电层中形成该至少一开口之前，在该第一介电层的该顶表面中形成该扩散层。

16.根据权利要求15所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其还包括在该至少一开口的侧壁及底部形成一阻障层。

17.根据权利要求14所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其中在该第一介电层中形成该至少一开口之后，在该第一介电层的该顶表面及该侧表面中形成该扩散层。

18.根据权利要求17所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其还包括在该至少一开口的侧壁及底部形成一阻障层。

19.根据权利要求13所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其中该扩散层的形成方法包括离子植入法或扩散法。

20.根据权利要求13所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其中该扩散层包括富电子层。

21.根据权利要求13所述的内连线结构的形成方法，其特征在于其还包括在该第一介电层及该导体层上形成一第二介电层。