[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的基板、阳极层、有机发光功能层及阴极层，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述阳极层、所述有机发光功能层及所述阴极层封装在所述基板上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第二有机阻挡层、形成于所述第二有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第三有机阻挡层、形成于所述第三有机阻挡层表面的第四有机阻挡层以及形成于所述第四有机阻挡层表面的第二无机阻挡层；

其中，所述第一有机阻挡层及所述第三有机阻挡层的材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；

所述第二有机阻挡层及所述第四有机阻挡层的材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；

所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物和氮化物，所述碲化物选自Sb₂Te₃、Bi₂Te、CdTe、In₂Te₃、SnTe及PbTe中的至少一种，所述氮化物选自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一种，且所述碲化物占所述第一无机阻挡层的质量百分数为10～30%；

所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物和硒化物，所述氮化物选自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一种，所述硒化物选自Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂及Cu₂Se中的至少一种，且所述硒化物占所述第二无机阻挡层的质量百分数为10～30%。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖的数量为2～4个，多个封装盖层叠设置。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层与所述第二有机阻挡层的材料不同，所述第一有机阻挡层与所述第三有机阻挡层的材料相同，所述第二有机阻挡层的材料与所述第四有机阻挡层的材料相同。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层及所述第三有机阻挡层的厚度相同，为200～300nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二有机阻挡层及所述第四有机阻挡层的厚度相同，为200～300nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100～200nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二无机阻挡层的厚度为100～200nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层包括在所述阳极层上依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。

9.如权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼按照30%的掺杂质量百分比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中形成的混合材料；所述空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱按照5%的掺杂质量百分比掺杂在1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成的混合材料；所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；所述电子注入层的材料为氮化铯按照30%的掺杂质量百分比掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中形成的混合材料。

10.一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在洁净的导电基板表面刻蚀制备有机电致发光器件的阳极图形；

采用真空蒸镀的方式在所述导电基板的阳极图形表面依次蒸发镀制有机发光功能层和阴极层；

采用真空蒸镀的方式蒸发镀制第一有机阻挡层并使所述第一有机阻挡层将所述阳极图形、所述有机发光功能层及所述阴极层封装与所述导电基板上，然后采用真空蒸镀的方式在所述第一有机阻挡层表面镀制第二有机阻挡层；

采用磁控溅射的方式在所述第二有机阻挡层表面溅射制备第一无机阻挡层；

采用真空蒸镀的方式在所述第一无机阻挡层表面蒸发镀制第三有机阻挡层，并在所述第三有机阻挡层表面镀制第四有机阻挡层；

采用磁控溅射的方式在所述第四有机阻挡层表面溅射制备第二无机阻挡层；

其中，所述第一有机阻挡层及所述第三有机阻挡层的材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；

所述第二有机阻挡层及所述第四有机阻挡层的材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；

所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物和氮化物，所述碲化物选自Sb₂Te₃、Bi₂Te、CdTe、In₂Te₃、SnTe及PbTe中的至少一种，所述氮化物选自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一种，且所述碲化物占所述第一无机阻挡层的质量百分数为10～30%；

所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物和硒化物，所述氮化物选自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一种，所述硒化物选自Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂及Cu₂Se中的至少一种，且所述硒化物占所述第二无机阻挡层的质量百分数为10～30%。