[发明专利]MIM电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310121622.5 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199081A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 童智钊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种MIM电容器，包括第一金属层和形成于所述第一金属层上的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括形成于所述第一金属层上的缓冲绝缘层和形成于所述缓冲绝缘层上的至少一层本体绝缘层，其中所述缓冲绝缘层的厚度小于本体绝缘层的厚度。
2.如权利要求1所述MIM电容器，其特征在于，所述缓冲绝缘层的厚度为
3.如权利要求1所述MIM电容器，其特征在于，所述本体绝缘层的层数为一层。
4.如权利要求1所述MIM电容器，其特征在于，所述本体绝缘层的层数为两层以上。
5.如权利要求1所述MIM电容器，其特征在于，还包括形成于所述本体绝缘层上的第二金属层。
6.如权利要求1至5中任一项所述MIM电容器，其特征在于，所述缓冲绝缘层和本体绝缘层的材料均为氧化硅。
7.一种MIM电容器的制造方法，包括：
步骤一：提供一衬底；
步骤二：在所述衬底上形成第一金属层；
步骤三：利用高密度等离子体化学气相沉积法在所述第一金属层上沉积形成缓冲绝缘层；
步骤四：利用增强型等离子体化学气相沉积法在所述缓冲绝缘层上沉积形成至少一层本体绝缘层。
8.如权利要求7所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述缓冲绝缘层的厚度为
9.如权利要求7所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述高密度等离子体化学气相沉积中的反应气体为硅烷和氧气。
10.如权利要求9所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述高密度等离子体化学气相沉积的低频功率为2000W～6000W，高频功率为500W～3000W、硅烷的流量为30sccm～200sccm，氧气的流量为40sccm～300sccm、腔室压力为2mTorr～50mTorr。
11.如权利要求7所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤四中，仅形成一层本体绝缘层。
12.如权利要求7所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤四中，形成两层以上的本体绝缘层。
13.如权利要求11所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述增强型等离子体化学气相沉积中的反应气体为硅烷和氧气。
14.如权利要求7所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述步骤四之后还包括：在所述本体绝缘层上形成第二金属层。
15.如权利要求7至14中任一项所述MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述缓冲绝缘层和本体绝缘层的材料均为氧化硅。
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