[发明专利]一种进气装置及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种进气装置，其用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，其特征在于，包括装置本体，在所述装置本体内形成有第一通道、第二通道和单向通道，其中

所述第一通道分别与所述清洗气体源和所述反应腔室的内部连通，用以将由所述清洗气体源提供的清洗气体输送至所述反应腔室内；

所述第二通道的进气端与所述工艺气体源连通，所述第二通道的出气端经由所述单向通道与所述第一通道连通，所述第二通道用于将所述工艺气体输送至所述第一通道内，并经由所述第一通道流入所述反应腔室内；并且

所述单向通道被设置为仅能够自所述第二通道朝向所述第一通道的单一方向输送所述工艺气体。

2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道的进气端高于所述单向通道的出气端。

3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道由至少两段子通道串接形成，并且所述至少两段子通道在所述单向通道的轴向截面上组成的形状包括折线、曲线或折线与曲线串接的形状。

4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，最靠近所述第二通道的所述子通道的内径自所述单向通道的进气端朝向出气端的方向逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凸部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凹部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中

所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凸部和凹部的厚度的第一通孔；

所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；

所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

6.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凹部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凸部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中

所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凹部和凸部的厚度的第一通孔；

所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；

所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

7.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁具有预定间距，以在二者之间形成环形空间。

8.根据权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道的数量为多个，且多个所述单向通道被划分为沿所述第一通孔的轴向间隔设置的至少一层单向通道组，并且

每层所述单向通道组中的多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置。

9.根据权利要求8所述的进气装置，其特征在于，所述第二通孔的数量为一个或多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且

所述工艺气体源的数量与所述第二通孔的数量相对应，且一一对应地与所述第二通孔连通。

10.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁相接触。

11.根据权利要求10所述的进气装置，其特征在于，所述第二通孔的数量为多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且

所述单向通道的数量与所述第二通孔的数量相对应，且多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置，并且所述单向通道的进气端与所述第二通孔一一对应地连通。

12.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，在所述上本体的下表面与所述下本体的上表面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙；并且

在所述凸部的端面与所述凹部的底面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙。

13.一种等离子体加工设备，包括反应腔室和进气装置，在所述反应腔室的顶部设置有进气口；所述进气装置用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，其特征在于，所述进气装置采用了权利要求1-12任意一项权利要求所述的进气装置。