[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。

背景技术

目前，在利用氧化物薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）驱动扭曲向列型液晶显示器（Twisted Nematic Liquid Crystal Display，TN-LCD）的技术中，直至形成像素氧化铟锡层（Pixel ITO层），阵列基板的制备过程需要用到6张掩膜板（Mask）。分别用Mask1、Mask2、Mask3、Mask4、Mask5和Mask6表示6张Mask，阵列基板的制备过程可以具体包括以下步骤：

第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，及利用Mask1在该金属薄膜上刻蚀出栅极。

第二步、形成栅绝缘层。

第三步、沉积氧化物半导体薄膜，及利用Mask2在该氧化物半导体薄膜上刻蚀出图案，形成氧化物半导体层。

第四步、形成刻蚀阻挡层（Etch-stop layer,ESL层），及利用Mask3在ESL层上刻出通孔（via孔）。

第五步、沉积金属薄膜，及利用Mask4在该金属薄膜上形成金属层，所述金属层包括数据线和源漏极。

第六步、形成钝化层（Passivation层），及利用Mask5在钝化层刻蚀出通孔。

第七步、沉积氧化铟锡（ITO）薄膜，及利用Mask6在该ITO薄膜上刻蚀出图案，形成Pixel ITO层。

现有技术制备出的阵列基板像素区域的结构示意图可以如图1所示。其中，由于钝化层是透明的，且覆盖了透明基板的绝大部分区域，因此，在图1中未标识出钝化层。另外，Pixel ITO层07透明度也比较好，但在图1中，在未示出钝化层的情况下，为了清楚表示Pixel ITO层07和金属层05的位置关系，Pixel ITO层07和金属层05的重叠部分，仅Pixel ITO层07可见。透明基板在图1中未示出。

如图1所示，金属层05填充位于刻蚀阻挡层04的通孔08，使得金属层05与氧化物半导体层03接触，Pixel ITO层07填充位于钝化层的通孔08，使得Pixel ITO层07与金属层05接触。

如图2所示为图1中AA’位置的横截面示意图，包括在透明基板00上依次形成的栅极01、栅绝缘层02、氧化物半导体层03、刻蚀阻挡层04、金属层05、钝化层06和Pixel ITO层07。

综上所述，现有技术需要用到6张Mask来实现阵列基板制备，制备工艺较为复杂，且制备成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，用于减少阵列基板制备需要的Mask数量。

本发明提供的阵列基板，包含TFT，所述TFT包括基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅绝缘层，氧化物半导体层，刻蚀阻挡层，钝化层和像素透明导电氧化物层；

在位于所述氧化物半导体层上方的所述刻蚀阻挡层和所述钝化层上形成有两个第一通孔，分别暴露所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层暴露的区域形成源漏极区域；

所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第一通孔中，与所述氧化物半导体层的源漏极区域接触以形成源漏极，且所述像素透明导电氧化物层还沉积在所述阵列基板的像素区域；所述源漏极区域之一和像素区域的像素透明导电氧化物层相连。

本发明提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上，沉积金属薄膜，利用第一掩膜板在该金属薄膜上光刻出栅极；

在栅极和基板上，沉积形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板在该氧化物半导体薄膜上光刻出图案，形成氧化物半导体层；

在氧化物半导体层上沉积形成刻蚀阻挡层；

在刻蚀阻挡层上沉积金属薄膜，利用第三掩膜板在该金属薄膜上形成金属层，所述金属层包括数据线；

在金属层、刻蚀阻挡层上沉积形成钝化层，利用第四掩膜板在钝化层上光刻出第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述氧化物半导体层上方的所述刻蚀阻挡层和所述钝化层，暴露所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层暴露的区域形成源漏极区域，所述第二通孔位于所述数据线上方的所述钝化层，暴露所述数据线；

在钝化层上沉积透明导电氧化物薄膜，利用第五掩膜板在该透明导电氧化物薄膜上光刻出图案，形成像素透明导电氧化物层；