[发明专利]碳化硅量子点及其制备方法无效
| 申请号： | 201310122820.3 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103194224A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李公义;李焕湘;马军;李义和;胡天娇;楚增勇;李效东 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65;C01B31/36 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;杨斌 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市德雅路*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 量子 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅量子点，其特征在于，所述碳化硅量子点呈类球状，其粒径在2.5nm～5.5nm范围内呈正态分布，所述碳化硅量子点的激发波长范围为250nm～400nm；所述碳化硅量子点的发射波长范围为350nm～450nm。
2.根据权利要求1所述的碳化硅量子点，其特征在于，所述碳化硅量子点在pH值为2.0～13.0的溶液中能保持发光稳定。
3.一种碳化硅量子点的制备方法，包括以下步骤：
（1）碳化硅量子点的制备：将聚甲基硅烷与甲苯溶剂按照0.5～10∶600的质量比混合，然后将所得混合溶液置于高压釜中程序升温至500℃～600℃，再保温1h～5h后自然降温，得到含碳化硅量子点的甲苯悬浊液；
（2）碳化硅量子点的收集：将上述含碳化硅量子点的甲苯悬浊液进行过滤，所得滤液经冷冻干燥或高速离心后，得到碳化硅量子点。
4.根据权利要求3所述的碳化硅量子点的制备方法，其特征在于，所述程序升温的过程包括：将所述高压釜中的混合溶液先以5℃/min升温至300℃，然后以2℃/min升温至500℃～600℃。
5.根据权利要求3或4所述的碳化硅量子点的制备方法，其特征在于，所述高压釜中的反应过程是在惰性气氛下进行。
6.根据权利要求3或4所述的碳化硅量子点的制备方法，其特征在于，所述高速离心的离心速度≥14000r/min，离心时间≥20min。
7.根据权利要求3或4所述的碳化硅量子点的制备方法，其特征在于，所述冷冻干燥在-100℃以下进行。
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