[发明专利]一种电子轰击离子源机构无效
申请号: | 201310123314.6 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN103208411A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 章兰珠;杨遂平;郑磊;谢党 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01J49/14 | 分类号: | H01J49/14;H01J49/06 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 轰击 离子源 机构 | ||
1.一种电子轰击离子源机构,其特征在于,该机构包括进样组件、电离室、聚焦极片组件及出口狭缝组件,所述的进样组件固定连接在电离室上,所述的电离室、聚焦极片组件及出口狭缝组件依次设置:
进样组件:包括两根进样导管、设置在进样导管间的弹簧及将进样导管固定在电离室上的进样管固定片;
电离室:包括电离盒、推出极、阴极组件及电子接收机组件,所述的推出极安装在电离盒上,所述的阴极组件及电子接收机组件与进样组件连接;
聚焦极片组件:由依次排列设置的拉出极、屏蔽片、两块聚焦透镜、X聚焦极、Y聚焦极构成;
出口狭缝组件:包括出口狭缝片、出口狭缝座、狭缝固定座、限孔狭缝及总离子流接收极,所述的出口狭缝座套设在狭缝固定座外,所述的出口狭缝片及限孔狭缝分别设置在出口狭缝座的两侧表面,所述的总离子流接收极设置在出口狭缝座朝向聚焦极片组件的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的进样组件中设置有两根进样导管实现左右两路进样。
3.根据权利要求1所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的进样组件联通在电离盒内,该电离盒内保持真空状态。
4.根据权利要求1所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的聚焦极片组件对电离室中的样品离子进行加速聚焦形成离子束。
5.根据权利要求4所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的离子束为具有5000V高压的飞行离子束。
6.根据权利要求1所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的出口狭缝组件中控制狭缝的长度为10-15mm,狭缝的宽度可调节。
7.根据权利要求1所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的狭缝的宽度范围为0.01-0.3mm。
8.根据权利要求7所述的一种电子轰击离子源机构,其特征在于,所述的狭缝的宽度优选0.2mm、0.1mm、0.05mm、0.03mm、0.015mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310123314.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:快速测定萝卜花青素含量及优良单株的繁殖方法
- 下一篇:药枕