[发明专利]一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法

权利要求书

1.一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，包括：

清洗硅片；

对硅片表面进行重扩散；

去除在重扩散后硅表面的残留物；

在硅片表面涂敷纳米结构的TiO₂，或在硅片表面淀积Ti并快速退火；

对硅片进行湿法腐蚀形成纳米结构；以及

去除硅表面的氧化物以及没有反应完的钛离子。

2.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述硅片为纯度大于99.9999％的P型太阳能级硅片、纯度大于99.9999999999％的P型集成电路级级硅片或晶面指数为(100)的P型硅片。

3.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述清洗硅片，是先用碱溶液浸泡硅片去除表面颗粒和有机物质，再用温度为75℃至85℃强酸煮硅片，以此去除硅表面的金属沾污，之后用稀释过的氢氟酸去除硅表面的自然氧化层，最后用去离子水清洗干净。

4.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述对硅片表面进行重扩散，是通过常规扩散工艺对清洗干净的硅片进行深度扩散，将扩散深度往硅片深处推进，扩散后硅片方阻为30～40Ω/□。

5.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述去除在重扩散后硅表面的残留物，是利用稀释的氢氟酸去除扩散后在硅表面留下的磷硅玻璃，以防止在之后的腐蚀中消耗腐蚀液中的阴离子。

6.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述在硅片表面涂敷纳米结构的TiO₂，是通过溶胶-凝胶方法在硅片表面淀积纳米结构的TiO₂，或者是将TiO₂纳米颗粒粉末通过静电吸附方式吸附到硅片表面。

7.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述在硅片表面淀积Ti并快速退火，是通过真空蒸发或者磁控溅射的方法在硅片表面形成2nm-40nm厚的Ti，并在氮气气氛中快速退火20秒-30分钟，温度为330℃-800℃，形成Ti的纳米颗粒。

8.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述对硅片进行湿法腐蚀形成纳米结构，是在室温条件下将硅片放入含有氢氟酸和双氧水或含有氢氟酸和硝酸的腐蚀液中腐蚀。

9.根据权利要求8所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，

所述腐蚀液是在氢氟酸和双氧水或氢氟酸和硝酸的基础上，再添加乙醇、异丙醇或乙二醇，以控制反应速率及纳米颗粒大小；

所述对硅片进行湿法腐蚀形成纳米结构的过程中，还加入光照条件以实现单面制绒。

10.根据权利要求1所述的高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，所述去除硅表面的氧化物以及没有反应完的钛离子，是先利用稀盐酸或者硫酸清洗，再利用去离子水清洗2分钟～30分钟，彻底清除表面的氧化物以及没有反应完的钛离子。