[发明专利]用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法

权利要求书

1.一种液体组合物，其为用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物，其包含

(A)过硫酸根离子供给源、

(B)铜离子供给源、

(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源、以及

(D)羧酸根离子供给源，

所述液体组合物的pH为3.5～9，

所述过硫酸根离子供给源(A)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.01～20，

所述羧酸根离子供给源(D)为选自由乙酸、丙酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸和这些羧酸的盐、以及乙酸酐组成的组中的至少一种，

所述羧酸根离子供给源(D)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.1～50。

2.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述过硫酸根离子供给源(A)为选自由过二硫酸铵、过二硫酸钾、过二硫酸钠和过一硫酸氢钾组成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述铜离子供给源(B)为选自由铜、硫酸铜、硝酸铜和乙酸铜组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述氮化合物供给源(C)为选自由氨、硫酸铵、硝酸铵、乙酸铵、过二硫酸铵和氢氧化四甲基铵组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述氮化合物供给源(C)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为4～100。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的液体组合物，其还包含钼酸根离子供给源(E)。

7.一种蚀刻方法，其为蚀刻包含铜和钼的多层膜的方法，

其包括使所述多层膜与权利要求1～6中的任一项所述的液体组合物接触的工序。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜为将由钼或包含钼作为主要成分的化合物形成的层、以及由铜或包含铜作为主要成分的化合物形成的层层叠而成的二层膜。

9.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜为将由钼或包含钼作为主要成分的化合物形成的层、由铜或包含铜作为主要成分的化合物形成的层以及由钼或包含钼作为主要成分的化合物形成的层依次层叠而成的三层膜。

10.一种制造多层膜布线的方法，所述多层膜布线在基板上设置有至少包含含钼层和含铜层的多层膜，

所述方法包括：

在基板上依次设置包含钼的层和包含铜的层，从而形成多层膜；

在所述多层膜上覆盖抗蚀剂，从而形成抗蚀剂膜；

通过将所述抗蚀剂膜曝光、显影而形成规定抗蚀图案，从而形成蚀刻对象物；

通过使所述蚀刻对象物与权利要求1～6中的任一项所述的液体组合物接触，蚀刻所述多层膜来形成多层膜布线。