[发明专利]元件内部缺陷的检测装置及方法

权利要求书

1.一种元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：包含︰

一红外线光源，发射一红外线光束至一待测元件内部；

一红外线取像单元，包括一红外线传感器，所述红外线光束从所述待测元件内部反射出并进入所述红外线传感器，产生所述待测元件的一内部影像数据；以及

一影像处理单元，获取所述内部影像数据，以分析所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

2.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述红外线光源所射出的红外线光束的波长范围介于700至1000纳米之间。

3.如权利要求2所述的元件内部缺陷检测装置，其特征在于：所述红外线传感器为对红外线波长范围敏感的一电荷耦合元件或一互补性氧化金属半导体元件。

4.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述待测元件的内部缺陷为一半导体元件内部的崩缺、崩裂或导线断裂。

5.如权利要求4所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述半导体元件为具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装产品或是其尚未切割的一晶圆半成品。

6.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：另包含：

一对位光源，发射一对位光线至所述待测元件的表面；及

一对位取像单元，撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

7.如权利要求6所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：另包含一移动单元，用以同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元。

8.一种元件内部缺陷的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：

以一红外线光源产生一红外线光束以照射一待测元件内部；

以一红外线取像单元的一红外线传感器撷取由所述待测元件内部反射出的红外线光束所形成的一内部影像数据；以及

以一影像处理单元分析所述内部影像数据，以判断所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

9.如权利要求8所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：更包含以下步骤：以所述红外线取像单元的红外线传感器取得一标准元件内部的一标准内部影像资料。

10.如权利要求9所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在所述影像处理单元分析所述内部影像资料的步骤中更包含以下步骤：

以所述影像处理单元比对所述内部影像资料与所述标准内部影像资料，以判断所述待测元件内部是否存在所述内部缺陷。

11.如权利要求8所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在以所述红外线光束照射所述待测元件内部的步骤中进一步包括以下步骤：

由一对位光源发射一对位光线至所述待测元件的表面；及

以一对位取像单元撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

12.如权利要求11所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在以所述红外线取像单元撷取所述待测元件的内部影像资料的步骤中进一步包括以下步骤：

利用一移动单元同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元，以便所述红外线取像单元撷取所述待测元件的边界区域的内部影像资料。