[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：

a）在硅片正面形成绒面；

b）在所述硅片正面进行P离子注入；

c）在所述硅片的背面进行重掺杂，并对所述硅片进行退火；

d）去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃；

e）在所述硅片正面形成减反膜；

f）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；

g）在所述硅片正面形成正电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述P离子注入采用PH₃为注入源。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述P离子注入剂量为10¹⁰个/cm²～10¹⁸个/cm²。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述P离子注入能量为1KeV～50KeV。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述P离子注入深度为1nm～500nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤c）进一步包括：

c1）将离子注入后的两片所述硅片离子注入面相对紧贴插入单面扩散石英舟，并将所述石英舟放入标准扩散炉中；

c2）向所述标准扩散炉中通入高浓度POCl₃；

c3）关闭P源，并向所述标准扩散炉中通入氮气或者氩气；

c4）清除所述标准扩散炉中的气体，并稳定0.5min～5min；

c5）对所述硅片进行退火。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述标准扩散炉的温度为700℃～950℃。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述退火温度为750℃～1000℃，所述退火时间为0.1h～3h。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤d）进一步为：

将所述硅片置于酸性溶液中，对所述硅片的重掺杂面和所述硅片的周边进行刻蚀，去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述酸性溶液为氢氟酸和硝酸混合溶液。