[发明专利]发光元件、发光装置、以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201310125873.0 申请日: 2008-08-29
公开(公告)号: CN103258963A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 牛窪孝洋;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32;C09K11/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 吴宗颐
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

第一阳极,

在第一阳极上的第一发光层,

与第一发光层直接接触的第二发光层,

在第二发光层上的第一阴极,

在第一阴极上并与第一阴极直接接触的第二阳极,

在第二阳极上的第三发光层,和

在第三发光层上的第二阴极;

其中,第一至第三发光层中的每一层具有最大发光峰,

其中,最大发光峰中的每一个位于下述区域之一:400nm以上且低于500nm的第一波长区域、500nm以上且低于600nm的第二波长区域、和600nm以上且低于700nm的第三波长区域,

其中,第一至第三波长区域中的每一个只具有一个最大发光峰,

其中,第一和第二发光层之一包括由通式(1)表示的蒽衍生物,

其中,

Ar1和Ar2分别表示碳数为6至25的芳基,

Ar3表示碳数为6至25的亚芳基,

A表示由通式(1-1)至(1-3)表示的任一种取代基,

Ar11至Ar13分别表示碳数为6至25的芳基,

α表示碳数为6至25的亚芳基,

Ar21表示碳数为6至25的芳基,

R31表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,

R32表示碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,

Ar31表示碳数为6至25的芳基,

β表示碳数为6至25的亚芳基,且

R41和R42分别表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,第一阴极是透明的且包含氧化锂、氟化锂、或碳酸铯。

3.根据权利要求1所述的发光装置,

其中,第一阴极是透明的且包含电子传输性物质和添加到电子传输性物质中的施主物质,且

其中,电子传输性物质的电子迁移率大于空穴迁移率。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,第二阳极是透明的且包含氧化钼、氧化钒、氧化铼、或氧化钌。

5.根据权利要求1所述的发光装置,

其中,第二阳极是透明的且包含空穴传输性物质和添加到空穴传输性物质中的受主物质,且

其中,空穴传输性物质的空穴迁移率大于电子迁移率。

6.根据权利要求1所述的发光装置,

其中,第一和第二发光层中的一层发蓝光,且第一和第二发光层中的另一层发绿光,且

其中,第三发光层发红光。

7.一种发光设备,包括:

框体,和

包括在框体中的根据权利要求1所述的发光装置。

8.一种模块,包括:

第一衬底和第二衬底,以及

根据权利要求1所述的发光装置,该发光装置通过密封剂被密封在第一衬底和第二衬底之间。

9.根据权利要求8所述的模块,还包括连接器,所述连接器选自柔性印刷电路、带式自动焊接带和带载封装。

10.一种显示装置,包括:

框体,和

根据权利要求8所述的模块。

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