[发明专利]一种异质结电池的制备方法无效
| 申请号： | 201310125902.3 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103227246A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 牛新伟;郁操;丁澜;戎俊梅;刘石勇;王明华;胡金艳;韩玮智;朱永敏;张华;冯涛;金建波;仇展炜;杨立友 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 电池 制备 方法 | ||
1.一种异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
a）在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层；
b）在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；
c）在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；
d）在所述n型硅片的背面形成背电极和铝背场；
e）在所述n型硅片的正面形成正电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一非晶硅本征层的厚度范围为5nm～30nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述非晶硅p层的厚度范围为5nm～30nm。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其中，所述掺硼氧化锌薄膜的厚度范围为500nm～1000nm。
5.一种双面异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
a）在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层；
b）在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；
c）在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅本征层；
d）在所述第二非晶硅本征层背面沉积非晶硅n层；
e）在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜，在所述非晶硅n层上沉积第二掺硼氧化锌薄膜；
f）在所述n型硅片的背面形成背电极；
g）在所述n型硅片的正面形成正电极。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述第一非晶硅本征层的厚度范围为5nm～30nm。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述非晶硅p层的厚度范围为5nm～30nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述第二非晶硅本征层的厚度范围为5nm～30nm。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述非晶硅n层的厚度范围为5nm～30nm。
10.根据权利要求5～9中任意一项所述的制备方法，其中，所述掺硼氧化锌薄膜的厚度范围为500nm～1000nm。
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