[发明专利]一种制备Si基TaSi2纳米尖锥阵列的方法

权利要求书

1.一种制备Si基TaSi₂纳米尖锥阵列的方法，其特征在于，具体过程是：

步骤一，制备Si-TaSi₂共晶自生复合材料试样棒：

采用现有技术，制备Si-TaSi₂共晶自生复合材料铸锭，并通过激光悬浮区熔定向凝固方法进行定向凝固，得到TaSi₂在Si基体上均匀分布的试样棒；

步骤二，配制腐蚀液：

所述腐蚀液总量为120ml，由浓度为65%HNO₃与浓度为40%HF配制而成；HNO₃：HF＝5:1～2，所述HNO₃与HF的比例为体积比；将称量好的HNO₃与HF置于高密度聚乙烯瓶内并混合均匀，得到腐蚀液；所述腐蚀液的温度为25°C并保温；

步骤三，制备TaSi₂纳米尖锥阵列：

在试样棒的稳态区沿该试样棒的横截面截取试样；将所述的试样放置在保护套内，并对该试样待刻蚀的表面进行常规金相处理；将放置有试样的保护套置于腐蚀液内，对试样的表面进行各向同性湿法腐蚀；腐蚀时间为60～1800s；腐蚀结束后，迅速将试样浸入到去离子水中洗涤10min；得到表面制备有TaSi₂尖锥阵列的试样。

2.如权利要求1所述的一种制备Si基TaSi₂纳米尖锥阵列的方法，其特征在于，所述激光悬浮区熔定向凝固制备试样棒时，定向凝固的温度梯度为7000K/cm，凝固速率为200μm/s，激光功率为800W。