[发明专利]非易失性存储器及半导体装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其中，具备：

多个齐纳击穿元件，分别具备在阱上形成的阴极区域和阳极区域；以及

金属布线，形成在所述多个齐纳击穿元件上，共同连接于各个阴极区域并对各个所述齐纳击穿元件供给写入用的电压，

其中，所述多个齐纳击穿元件的每一个具备：2个阴极区域和在该2个阴极区域之间形成的1个所述阳极区域，在相邻的齐纳击穿元件之间共有所述2个阴极区域中的1个，

其中，在所述阴极区域和所述阳极区域之间，设置有阴极区域和阳极区域混合存在的混合存在区域。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述金属布线以至少覆盖在所述阱上形成的所述阴极区域和所述阳极区域的方式而形成。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述金属布线以至少覆盖所述混合存在区域的方式而形成。

4.根据权利要求1到权利要求3的任一项所述的非易失性存储器，其中，所述金属布线与和所述阳极区域连接的布线相比形成在上层。

5.根据权利要求1到权利要求3的任一项所述的非易失性存储器，其中，

具备：晶体管，一端连接于地线，另一端连接于所述齐纳击穿元件的阳极，

所述地线与所述金属布线相邻地形成。

6.根据权利要求1到权利要求3的任一项所述的非易失性存储器，其中，具备：

第1齐纳击穿元件组，在第1方向上连续地配置有所述多个齐纳击穿元件；以及

第2齐纳击穿元件组，在第1方向上连续地配置有与所述第1齐纳击穿元件不同的多个齐纳击穿元件，

所述金属布线跨越所述第1齐纳击穿元件组和所述第2齐纳击穿元件组而形成。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中，

具备：晶体管，一端连接于地线，另一端连接于所述齐纳击穿元件的阳极，

所述地线在所述第1方向上形成，并且形成有多个，所述金属布线配置在所述地线之间。

8.一种半导体装置，其中，具备：权利要求1到权利要求7的任一项所述的非易失性存储器；以及中央处理装置，使用该非易失性存储器进行数据的写入及读出。