[发明专利]一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除装置

说明书

技术领域

本发明涉及清洗剂中金属离子的去除领域，尤其涉及一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除装置。

背景技术

随着现代电子产品快速地向短、小、轻和薄等方向发展及产品复杂程度的提高，在电子制造工艺过程中引入了越来越多的非极性污染物(松香/树脂和油等)、极性污染物(助焊剂活性剂和盐等)及颗粒状污染物，如果这些污染物得不到及时有效的清除，会直接造成半导体器件和集成电路表面等电子产品漏电、短路、断路或形成腐蚀导致失效，必然会影响到工艺的顺利实施或产品的质量和可靠性。因此，必须在工艺实施的许多环节导入清洗工序，使用清洗剂及配套的清洗设备。而随着组装的高密度化和引脚的细间距化，对半导体器件和集成电路等电子产品的洁净度提出了越来越高的要求，对清洗工艺的要求也越来越高。

清洗工艺在半导体器件和集成电路等电子产品生产中的极端重要性众所周知的。如果没有有效的清洗工艺便没有今天半导体器件和集成电路等电子产品的发展。目前，半导体器件和集成电路等电子产品已经有了举世属目的发展，而生产中所用清洗工艺仍然沿用40余年的常规清洗工艺。常规的清洗工艺通常使用硫酸、盐酸、双氧水、氨水、甲苯、三氯乙烯、三氯乙烷和氟利昂等化学试剂。这些试剂不仅成本高，而且有很强的腐蚀作用，有点毒性很大，危害操作人员的安全与健康，污染环境。

二甘醇胺(DGA)以其低成本，高沸点，无腐蚀，无污染等优点，作为一种新型的电子产品清洗剂的替代品，已经受到了广泛的关注，但其产品中金属含量高、种类多，这些会导致在电子产品的清洗过程中腐蚀电子产品。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除装置，对二甘醇胺中金属离子的去除率高且成本低。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除装置，包括物料储罐、去离子水储罐、阴离子交换塔、阳离子交换塔、循环泵、喷射器、盐酸储罐、氢氧化钠储罐；将所述物料储罐、所述循环泵、所述喷射器、所述去离子水储罐、所述阳离子交换塔、所述阴离子交换塔从左到右进行连接；所述盐酸储罐、所述氢氧化钠储罐分别与所述阳离子交换塔、所述阴离子交换塔自上而下按顺序连接。

依照本发明的一个方面，所述的清洗剂中金属离子去除的装置，利用喷射器的作用，将盐酸和氢氧化钠分别喷射注入到阳离子交换塔和阴离子交换塔里面。

依照本发明的一个方面，阳离子交换塔里面填充的是ZGC151~158系列阳离子交换树脂。

依照本发明的一个方面，阴离子交换塔里面填充的是ZGA351~358系列阴离子交换树脂。

依照本发明的一个方面，在阴、阳离子交换塔上方各安装一套再生阀，通过与盐酸和氢氧化钠管道接通，在交换树脂饱和后实现再生。

依照本发明的一个方面，整个离子去除过程中使用的水为去离子水。

依照本发明的一个方面，使用氮气对管路进行疏通，并对清洗剂进行保护。

本发明实施例提供的一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除装置，去除二甘醇胺中金属离子的去除率高且成本低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的一种新型电子产品清洗剂中金属离子去除的装置结构示意图；

图中：

1 DGA储料罐，2 去离子水罐，3 循环泵，4 30％盐酸储罐，5 30％氢氧化钠储罐，6 喷射器，7 阳离子交换塔，8 阴离子交换塔，9 放空阀门，10 阀门，11 正洗排水阀，12 进料阀，13 再生阀，14 反洗排水阀。

具体实施方式

以下结合附图与具体实施例，对本发明进行详细说明。

如图1所示，本发明提供一种电子产品清洗剂中金属离子去除的装置，包括DGA(二甘醇胺)储料罐1、去离子水罐2、循环泵3、喷射器6、阳离子交换塔7、阴离子交换塔8从左到右进行连接；30％盐酸储罐4、30％氢氧化钠储罐8分别与阳离子交换塔7、阴离子交换塔8自上而下按顺序进行连接。