[发明专利]用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子有效
| 申请号： | 201310127400.4 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103227185A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张晔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L29/778 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 红外 通讯 控制 二维 电子 量子 匣子 | ||
1.用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子，其特征在于：包括围栅电极，所述围珊电极由衬底底部的背底电极和上表面的围栏形状的顶电极构成的围栏形式的可寻址电压控制的阱，围珊电极顶电极和背电极之间形成的电压为围栏栅电压，控制顶电极与背底电极的电压差来控制电子气量子匣子的x,y方向限域从而控制量子能级的间隔；对于单个Bit（0,1）的信号源的模值数值的获得，可以用x,y方向上的围栏栅压控制量子能级间隔从而获得不同的波长的光源，对于集成的信号源，所有的信号源用统一波长的半导体激光，每个信号源单元的开关用可以电压寻址的数字电信号源控制。
2.根据权利要求1所述的用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子，其特征在于： xy方向的量子匣子的限制是通过围栅电压控制的。
3.根据权利要求1所述的用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子，其特征在于：工艺采用半导体微加工技术，包括分子束外延技术、MBE，光刻技术。
4.根据权利要求1所述的用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子，其特征在于：所述背栅电极材料为对可见光泵浦光透过的半透电极材料，优选 Ti，Cr, Al，或者是ITO。
5.根据权利要求1所述的用于远红外通讯的栅压控制的二维电子气量子匣子，其特征在于：所述掺杂势垒为AlxGaAs1-x掺杂势垒，AlxGaAs1-x掺杂势垒的x ： 0.2-1 ，电子浓度1018/cm3到1019/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
