[发明专利]一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法

权利要求书

1.一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其步骤为：

1）在P型硅衬底上生长形成氧化层，并在氧化层薄膜上淀积氮化硅层；

2）在晶圆上涂抹光刻胶，光刻定义中心N型阱区；干法刻蚀掉N型阱区上的氮化硅，注入磷离子形成中心N阱；去除光刻胶并对晶圆做退火处理；

3）晶圆退火时在其上随即形成环状P型阱离子注入的掩膜层，利用磷酸湿式刻蚀法去除掉氮化硅，对环形P型阱区进行硼离子注入，形成环形P阱并退火；

4）湿法刻蚀去除晶圆表面的掩膜层以及步骤1）中形成的氧化层，并再次在晶圆上生长形成氧化层； 再次光刻N型阱区，利用光刻胶保护环形P阱，对N阱进行PMOS阈值电压调整注入；

5）去除N阱表面的氧化层，在晶圆上生长形成二氧化硅层作为电极氧化层；

6）在N阱表面沉积多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，光刻多晶硅栅电极图形，利用活性离子刻蚀多晶硅栅电极结构，同时去除表面光刻胶；

7）利用光刻胶形成PMOS源极和漏极区域，以及P阱的P⁺体区引出区域的屏蔽，进行硼离子重掺杂注入，形成PMOS的中心源极和环形漏极，以及P阱的P⁺体区引出极，之后去除光刻胶。

2.如权利要求1所述的单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤1）和4）中利用热氧化法生长形成出氧化层，步骤2）和6）中利用低压化学沉积技术进行沉积。

3.如权利要求1所述的单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：利用硫酸溶液去除光刻胶。

4.如权利要求1所述的单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤5）中将晶圆放入氢氟酸化学槽中去除N阱表面的氧化层。

5.一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其步骤为：

1）在P型硅衬底上生长形成氧化层，并在氧化层薄膜上淀积氮化硅层；

2）在晶圆上涂抹光刻胶，光刻定义环形N型阱区；干法刻蚀掉N型阱区上的氮化硅，注入磷离子形成环形N阱；去除光刻胶并对晶圆做退火处理；

3）晶圆退火时在其上随即形成中心P型阱离子注入的掩膜层，利用磷酸湿式刻蚀法去除掉氮化硅，对中心P型阱区进行硼离子注入，形成中心P阱并退火；

4）湿法刻蚀去除晶圆表面的掩膜层以及步骤1）中形成的氧化层，并再次在晶圆上生长形成氧化层；再次光刻P型阱区，利用光刻胶保护环形N阱，对P阱进行NMOS阈值电压调整注入；

5）去除N阱表面的氧化层，在晶圆上生长形成二氧化硅层作为电极氧化层；

6）在N阱表面沉积多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，光刻多晶硅栅电极图形，利用活性离子刻蚀多晶硅栅电极结构，同时去除表面光刻胶；

7）利用光刻胶形成NMOS源极和漏极区域，以及N阱的N⁺体区引出区域的屏蔽，进行磷离子重掺杂注入，形成NMOS的中心源极和环形漏极，以及N阱的N⁺体区引出极，之后去除光刻胶。

6.如权利要求5所述的单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤1）和4）中利用热氧化法生长形成出氧化层薄膜，步骤2）和6）中利用低压化学沉积技术进行沉积。

7.如权利要求5所述的单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：利用硫酸溶液去除光刻胶。

8.如权利要求5所述的一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤5）中将晶圆放入氢氟酸化学槽中去除N阱表面的氧化层。