[发明专利]常闭型高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种常闭型高电子迁移率晶体管，包括：

沟道层，包括第一氮化物半导体；

沟道供应层，包括在所述沟道层上的第二氮化物半导体并且将二维电子气诱导到所述沟道层；

源电极和漏电极，在所述沟道供应层的两侧；

耗尽形成层，在所述沟道供应层上以在所述二维电子气的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；

栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及

栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。

2.如权利要求1所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽形成层包括具有第一厚度的第一部分和在所述第一部分的两侧的具有第二厚度的第二部分。

3.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第一厚度比所述第二厚度厚。

4.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽形成层的所述第一部分形成为条形，其所述第二部分形成为平行于所述第一部分的条形。

5.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第二部分远离所述源电极和所述漏电极。

6.如权利要求5所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽区形成在所述第一部分下面，与在其中不存在所述耗尽形成层的区域相比，在所述第二部分下面的区域具有相对低的所述二维电子气的电子密度。

7.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第二部分接触所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

8.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述栅电极形成在所述栅绝缘层上，在所述第一部分和所述第二部分的至少一部分上方。

9.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中暴露出一部分所述耗尽形成层的开口形成在所述栅绝缘层中，所述栅电极通过所述开口接触所述耗尽形成层。

10.如权利要求9所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述开口形成在所述第一部分上。

11.如权利要求2所述的常闭型高电子迁移率晶体管，还包括形成在所述第一部分和所述栅绝缘层之间的第一栅电极，

其中所述第一栅电极和所述栅电极彼此电连接。

12.如权利要求11所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第一栅电极形成为通过所述栅绝缘层被暴露，所述第一栅电极和所述栅电极通过导线电连接。

13.如权利要求11所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中暴露出所述第一栅电极的开口形成在所述栅绝缘层中，所述第一栅电极和所述栅电极通过所述开口彼此电连接。

14.如权利要求1所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第一氮化物半导体包括氮化镓（GaN）族材料。

15.如权利要求1所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述第二氮化物半导体包括氮化物，该氮化物包括从由铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）和硼（B）组成的组中选出的至少一种。

16.如权利要求1所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽形成层包括p型氮化物半导体。

17.如权利要求16所述的常闭型高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽形成层包括III-V族氮化物半导体材料。