[发明专利]双极性薄膜晶体管

权利要求书

1.一种双极性薄膜晶体管，包括：

一源极；

一漏极，该漏极与该源极间隔设置；

一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极电连接；以及

一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，定义所述栅极覆盖的所述半导体层的区域为沟道区域；

其特征在于，进一步包括两个导电过渡层分别设置在所述源极和漏极与所述半导体层之间，所述两个导电过渡层均为一金属性的碳纳米管膜，所述半导体层为一碳纳米管结构，所述导电过渡层的材料的功函数与所述半导体层的材料的功函数相同，所述导电过渡层延伸至所述沟道区域，且在由所述源极到所述漏极的方向上，所述导电过渡层与所述沟道区域的重叠部分的长度大于等于所述导电过渡层与所述栅极之间的间距。

2.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述两个导电过渡层间隔设置。

3.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层由多个单壁碳纳米管组成。

4.如权利要求3所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为所述多个单壁碳纳米管通过范德华力连接组成的碳纳米管膜。

5.如权利要求3所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，其特征在于，所述半导体层为所述多个单壁碳纳米管平行排列组成，至少部分单壁碳纳米管的两端分别与所述源极及漏极电连接。

6.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为一个单壁碳纳米管。

7.如权利要求5所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述单壁碳纳米管的长度大于5微米。

8.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

9.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，在所述半导体层的厚度方向，所述两个导电过渡层与所述栅极至少部分重叠。