[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310128871.7 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103378168B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；
设置在所述半导体衬底上的耐压调整用第一导电型低浓度区域；
圆形的第二导电型高浓度区域，其设置在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面附近,被所述耐压调整用第一导电型低浓度区域包围、且未被所述耐压调整用第一导电型低浓度区域以外的低浓度区域包围；
具有环形状的元件分离用绝缘膜，其在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面上，被设置成以不与所述第二导电型高浓度区域相接的方式围住所述第二导电型高浓度区域；以及
第一导电型高浓度区域，其在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内，设置在所述元件分离用绝缘膜的外侧。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电型高浓度区域被设置成具有环形状、且围住所述元件分离用绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述元件分离用绝缘膜的环形状是圆环形状，
所述第一导电型高浓度区域的环形状的至少内侧部分是圆形。
4.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；
设置在所述半导体衬底上的耐压调整用第一导电型低浓度区域；
圆形的第二导电型高浓度区域，其设置在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面附近；以及
第一导电型高浓度区域，其在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面上，被设置成不与所述第二导电型高浓度区域相接，
所述第一导电型高浓度区域与所述第二导电型高浓度区域之间不存在元件分离用绝缘膜。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电型高浓度区域具有环形状，并被设置成围住所述第二导电型高浓度区域。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电型高浓度区域的环形状的至少内侧部分是圆形。
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