[发明专利]一种硅碳复合物及其制备方法

权利要求书

1.一种硅碳复合物，其特征在于，包括表面经过去氧化处理的硅及导电碳基缓冲剂，所述硅分散在碳基缓冲剂中。

2.如权利要求1所述的硅碳复合物，其特征在于，所述表面经过去氧化处理的硅的表面为非氧化合物。

3.如权利要求2所述的硅碳复合物，其特征在于，所述表面经过去氧化处理的硅表面含氧量少于0.5%。

4.如权利要求2所述的硅碳复合物，其特征在于，所述表面经过去氧化处理的硅的表面层为氢化物。

5.如权利要求2所述的硅碳复合物，其特征在于，所述表面经过去氧化处理的硅的表面层为碳化物或卤化物。

6.如权利要求1所述的硅碳复合物，其特征在于，所述硅为颗粒状粉末和鳞片状粉末中的至少一种。

7.如权利要求1所述的硅碳复合物，其特征在于，所述硅为单晶结构、多晶结构和非晶结构中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的硅碳复合物，其特征在于，所述导电碳基缓冲剂为天然石墨、人造石墨、无定型碳黑、碳纳米管、碳纤维和石墨烯中的至少一种。

9.一种锂电池负极活性材料，其特征在于，所述负极活性材料使用如权利要求1所述的硅碳复合物通过包覆烧结制成。

10.一种制备硅碳复合物的方法，其特征在于，所述方法包括：去除硅表面本征氧化层；将经过去氧化处理的硅与导电碳基缓冲剂混合形成硅碳复合物。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述去除硅表面本征氧化层为湿法刻蚀钝化法，包括：用氢氟酸溶液腐蚀去除硅颗粒表面的本征氧化层，不饱和配位的硅和氢离子反应生成硅氢键，形成表面氢化物层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：所述硅氢键与不饱和有机物反应生成硅碳键形成碳化物层。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：所述硅氢键与卤素或卤化物反应形成卤化层。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述去除硅表面本征氧化层为干法还原钝化法，包括：通过带氢离子的还原性气体在高温条件下将硅表面的本征氧化层还原为硅，同时形成硅氢键，形成表面氢化物层。