[发明专利]金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法

权利要求书

1.一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底，其特征在于该活性基底是在玻璃衬底上粘附有一层具有有序凸起阵列结构金薄膜，该金薄膜的厚度为60～150 nm；所述的金纳米帽为隆起的半球形帽状结构，纳米帽直径为74～125 nm，相邻两纳米帽中心距为75～150 nm。

2.一种制备根据权利要求1所述的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：.将具有有序凹坑阵列结构的铝基片模板在真空度为8×10^-4Pa，蒸发速率0.3～0.5 nm/s条件下，蒸发金粉100～200 s，得到沉积有金薄膜的铝基片；然后去除铝基片，得到有序凸起阵列结构金薄膜；将该金薄膜的凸面朝上粘附至玻璃衬底上，经固化即得金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的具有有序凹坑阵列结构的铝基片模板的制备方法为：  

a_1.将预处理后的铝基片以0.3 M草酸溶液为电解液，在30～60 V范围内进行第一次阳极氧化处理后，时间为7～12 h；然后在温度60℃条件下于质量分数6%磷酸和1.8%铬酸的混合液中浸泡10 h，去除表面的氧化铝，得到所需的上表面具有有序凹坑阵列结构的铝基片模板。

4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的去除铝基片的具体步骤为：将沉积有金薄膜的铝基片的金薄膜的表面涂覆光刻胶，烘烤成型后浸入CuCl₂和HCl的混合液中，溶去未氧化的铝基片，得到金薄膜。

5. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的金薄膜粘附在玻璃衬底上的方法为：将去除铝基片且附有光刻胶的金薄膜的附有光刻胶的面朝下，放入丙酮溶液中，等光刻胶全部溶解于丙酮溶液之后，将金薄膜粘附在UV胶的玻璃衬底上。