[发明专利]一种稀土永磁体的制备方法

权利要求书

1.一种稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：不包括回火处理步骤的毛坯磁体制备工序、渗透材料涂覆工序及热处理工序。

2.如权利要求1所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述不包括回火处理步骤的毛坯磁体制备工序是指毛坯磁体经过配料-合金熔炼-粉碎制粉-成型-烧结工序制成。

3.如权利要求1所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述渗透材料涂覆工序包括渗透材料粉末的制备、将渗透材料粉末制备成涂覆溶液、及在涂覆溶液中对毛坯磁体进行涂覆等工序。

4.如权利要求3所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述渗透材料粉末的制备工序包括：

（1）按比例进行配料；

（2）熔炼合金；

（3）将上述合金进行中破碎；

（4）将上述中破碎后的粉末进行细粉碎。

5.如权利要求4所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述熔炼合金为将配好的料放入真空中频感应炉中进行熔炼和浇铸，或采用速凝薄片工艺进行熔炼和甩片。

6.如权利要求4所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述中破碎为将熔炼好的合金采用氢破碎工艺进行中破碎。

7.如权利要求4所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述细粉碎为将中破碎后的粉末在采用惰性气体保护的气流磨中破碎成平均粒度2～6微米的微粉。

8.如权利要求4所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述细粉碎后的微粉在惰性气体保护下进行储存。

9.如权利要求5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述浇铸熔炼得到的板状钢锭厚度为0.6～20mm。

10.如权利要求5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述浇铸熔炼得到的板状钢锭的氧含量≤300ppm。

11.如权利要求5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述采用速凝薄片工艺得到的薄片厚度为0.1～0.6mm。

12.如权利要求5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述采用速凝薄片工艺得到的薄片的氧含量≤200ppm。

13.如权利要求6所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述中破碎采用的氢化工艺只进行吸氢破碎过程。

14.如权利要求6所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述中破碎后的粉末的平均粒度为0.5mm～1.0mm，氢含量≥2000ppm。

15.如权利要求3所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述涂覆溶液的制备工序为将渗透材料粉末与醇类按不小于0.5:1的重量比配制。

16.如权利要求15所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述醇类中可以添加分散剂，分散剂添加量为所用醇类的0～1%重量百分比。

17.如权利要求15所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述醇类在低于800～1000℃时可以完全挥发，并不留残余。

18.如权利要求3所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述涂覆工序为将毛坯磁体制备工序制备的毛坯磁体在涂覆溶液中浸泡并进行搅拌，浸入时间至少大于一分钟。

19.如权利要求18所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述毛坯磁体在进行涂覆前要进行表面清洗，使用体积浓度小于5%硝酸进行酸洗，再用纯水漂洗去处残余酸液。

20.如权利要求1所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述热处理工序为二次热处理。

21.如权利要求20所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述二次热处理包括：

（1）将经浸泡涂覆后的毛坯磁体放入料盒内送入真空烧结炉中热处理，在真空度达到10^-2Pa时升温到820～1050℃并保温1～8小时，然后充氩气冷却到100℃以下；

（2）停止冷却并抽真空到10^-2Pa，再开始加热到450℃～620℃，保温1～5小时后停止加热，然后向烧结炉充入Ar气，使烧结炉冷却到80℃以下。