[发明专利]一种基于纳米材料的新型光控发光二极管

权利要求书

1.一种新型的光控发光二极管，其特征在于，其包括：

透明导电衬底;纳米氧化物层，该纳米氧化物层制备在所述导电衬底上；

空穴传输层，该空穴传输层制备在所述纳米氧化物层上；

发光层，该发光层为无机纳米发光材料；

电子传输层；

金属背电极。

2.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述透明导电衬底为氧化铟锡薄膜或掺铝、镓、镉的氧化锌薄膜，厚度在20-2000纳米之间。

3.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述纳米氧化物层的厚度在10-200纳米之间，该纳米氧化物层为掺杂铝，镓，镉其中之一的氧化锌或氧化钛薄膜。

4.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层厚度在20－200nm之间，为氧化钼、p型氧化锌、氧化钛、p型聚合物其中之一。

5.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述发光层材料为硫化镉，硫化锌，碲化镉，硒化镉，硒化锌第2-6族半导体，硫化铅，硒化铅4-6族半导体以及1-3-5族半导体。

6.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述电子传输材料，厚度在20－200nm之间，为氧化锌和氧化钛，硫化镉，硫化锌n型半导体，以及n型聚合物，比如F8BT和它们的衍生物等和n型小分子材料，比如ALQ，BCP和它们的衍生物。

7.根据权利要求1所述的光控发光二极管，其特征在于：所述金属导电薄膜选用镍、铝、金、银、铜、钛、铬中的一种或多种。

8.一种新型光控发光二极管的制备方法，其特征在于，纳米氧化物层通过溶液法制作在透明导电衬底上，厚度在20-200纳米，衬底温度是室温至600摄氏度，最后在室温至600摄氏度的环境下退火形成致密的纳米氧化物连续膜，使其能够在光照前有效阻挡空穴的注入。

9.根据权利要求8所述的光控发光二极管的制备方法，其特征在于：所述溶液法包括旋涂法，喷涂法,糟模法；纳米氧化物的厚度为20-200纳米。

10.根据权利要求8所述的光控发光二极管的制备方法的制备方法，其特征在于：纳米氧化物沉积在透明导电电极上，氧化物的高电离能可在光照前有效阻挡空穴的注入，抑制发光二极管的激子产生而光照后，光致掺杂效应使纳米氧化物变成高电导材料，可有效进行空穴的注入，从而得到发光层的高效发光。