[发明专利]沟槽的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层具有开口，所述图案化的硬掩膜层的厚度为100nm～400nm；

以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽。

2.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层的材料为二氧化硅。

3.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层包括：

在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成图案化的光阻层，所述图案化的光阻层具有开口；

以所述图案化的光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层具有开口。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述沟槽包括靠近半导体衬底表面的第一侧壁及与所述第一侧壁相连的第二侧壁，其中，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为锐角。

5.如权利要求4所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层的厚度为100nm～110nm，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为15度～18度。

6.如权利要求4所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层的厚度为150nm～160nm，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为30度～33度。

7.如权利要求4所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层的厚度为200nm～210nm，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为45度～48度。

8.如权利要求4所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层的厚度为290nm～300nm，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为72度～75度。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽包括靠近半导体衬底表面的第一侧壁及与所述第一侧壁相连的第二侧壁，其中，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为锐角；及形成于所述沟槽中的多晶硅层或隔离层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为15度～18度。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为30度～33度。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为45度～48度。

13.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧壁与所述半导体衬底表面的夹角的角度为72度～75度。