[发明专利]深度受温度控制的释放层的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在第一温度下在基体衬底顶上形成应力源层，所述第一温度下的所述应力源层在所述基体衬底中诱导第一拉伸应力，所述第一拉伸应力低于所述基体衬底的断裂韧度；

使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于所述第一温度的第二温度，其中所述第二温度在所述基底衬底中诱导第二拉伸应力，所述第二拉伸应力大于所述第一拉伸应力并且足以允许在所述基体衬底内发生剥落式断裂；以及

使所述基体衬底在所述第二温度下剥落而形成剥落的材料层，其中所述剥落在断裂深度处发生，所述断裂深度依赖于所述基体衬底的断裂韧度、所述基体衬底内的应力水平以及所述应力源层的在所述第二温度下诱导的所述第二拉伸应力。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述基体衬底的所述断裂韧度低于所述应力源层的断裂韧度。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述基体衬底包括半导体材料、玻璃或陶瓷。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述基体衬底是半导体衬底，且所述半导体衬底是单晶的。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层和所述基体衬底之间形成含金属的粘着层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属、聚合物、剥落诱导胶带层或其任意组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属，且所述金属包括Ni、Cr、Fe或W。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是剥落诱导胶带层，且所述剥落诱导胶带层是压力敏感胶带，该压力敏感胶带在所述第一温度下是柔性的且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并处于拉伸应力下。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述压力敏感胶带至少包括粘着层和基体层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层包括二部分应力源层，所述二部分应力源层包括下部和上部，所述上部包括剥落诱导胶带层。

11.如权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层顶上且在所述第一温度下形成处理衬底。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度是室温，且所述第二温度是77K或更低。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度是室温，且所述第二温度低于206K。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是压力敏感胶带，所述第一温度为从288K到333K，且所述第二温度是77K或更低。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是压力敏感胶带，所述第一温度为从288K到333K，且所述第二温度低于206K。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层由金属构成，并且其中，含金属的粘着层被设置在所述应力源层和所述基体衬底之间。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度以固定连续的速率降低到所述第二温度。

18.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度以增量步或以非连续的方式降低到所述第二温度。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述剥落的材料层具有小于100μm的厚度。

20.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一应力低于自发剥落的发生条件，而所述第二温度在自发剥落的发生条件附近或高于自发剥落的发生条件。