[发明专利]覆晶式固态发光显示器

权利要求书

1.一种覆晶式固态发光显示器，其包括一个基板、复数个固态发光源以及复数个薄膜晶体管，其特征在于：所述固态发光源以及所述薄膜晶体管相邻设置于所述基板上，所述固态发光源是为一个发光二极管，所述固态发光源的发光二极管是以覆晶结构设置于所述基板上，所述薄膜晶体管通过源极电极或是汲极电极与所述固态发光源发光二极管电性连结。

2.如权利要求1所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述基板的表面上设置有一个缓冲层，所述缓冲层是为绝缘缓冲层，所述缓冲层上设置所述固态发光源以及所述薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述基板材料是为蓝宝石、硅、绝缘体上硅、玻璃、氮化镓、氧化锌或塑料其中之一。

4.如权利要求1所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述固态发光源发光二极管选自氧化物半导体、氮化物半导体、磷化物半导体、砷化物半导体或是化合物半导体，所述化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族或是Ⅳ-Ⅳ族半导体。

5.如权利要求1所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述固态发光源发光二极管是一个P-N型的发光二极管，其包括一个P型电极、一个P型半导体层、一个发光层、一个N型半导体层以及一个N型电极，所述P型半导体层上方设置所述发光层，所述发光层上设置所述N型半导体层，所述N型半导体层上再设置所述N型电极，所述P型半导体层下方则通过所述P型电极连接于所述基板上。

6.如权利要求5所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述N型半导体层是金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体为氧化锌或氧化锌镓铟，所述金属氧化物半导体为所述固态发光源发光二极管的透明电极。

7.如权利要求5所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述N型半导体层是化合物半导体，所述化合物半导体为Ⅲ-Ⅴ族半导体中的硒化锌、砷化镓、磷化铝镓铟或氮化镓铟铝。

8.如权利要求5所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述P型半导体层与所述P型电极之间进一步包括一个接触层以及一个电流扩散层。

9.如权利要求5所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述发光层材料，是选自碲化硒镁锌镉、磷化铟镓铝、砷化镓铟铝、氮化镓铟铝、氧化锌、氧化锌镓铟或硅锗其中之一。

10.如权利要求1所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述薄膜晶体管位于所述固态发光源发光二极管的一侧边，所述薄膜晶体管具有的闸极电极设置于所述基板上，所述闸极电极上具有一个绝缘层设置，所述绝缘层上设置一个活性层，所述活性层上设置所述薄膜晶体管具有的源极电极及汲极电极，所述源极电极或是所述汲极电极与所述固态发光源发光二极管作电性连接。

11.如权利要求10所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述源极电极或是所述汲极电极过通所述N型半导体层、所述P型半导体层、所述透明电极、所述N型电极或所述P型电极与所述固态发光源发光二极管电性连接。

12.如权利要求10所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述活性层选自金属氧化物半导体、低温多晶硅、非晶硅，所述金属氧化物半导体选自非晶性金属氧化物半导体、多晶性金属氧化物半导体、结晶性金属氧化物半导体、微晶性金属氧化物半导体或纳米金属氧化物半导体。

13.如权利要求12所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述活性层包含有铟、镓、铝、锌、镉、钙、镁、锡或铅的其中之一。

14.如权利要求13所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述活性层是为氧化铟镓锌，所述活性层作为所述固态发光源发光二极管的透明电极。

15.如权利要求10所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述绝缘层选自氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钽或是钛酸锶钡。

16.如权利要求10所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述源极电极或是所述汲极电极至少有一个电极包含有氧化物透明电极、或一个金属电极、或一个非金属透明电极。

17.如权利要求16所述的覆晶式固态发光显示器，其特征在于：所述氧化物透明电极如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化锌铝或氧化锡锑。