[发明专利]包含磷光性金属络合物的化合物和包含所述化合物的OLED器件有效

专利信息
申请号: 201310131492.3 申请日: 2007-02-09
公开(公告)号: CN103254240A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: D·B·诺利斯;C·林;P·B·麦肯齐;J-Y·蔡;R·W·沃尔特斯;S·A·比尔斯;C·S·布朗;W·H·耶格尔 申请(专利权)人: 通用显示公司
主分类号: C07F15/00 分类号: C07F15/00;C09K11/06;H01L51/54
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宁家成
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包含 磷光 金属 络合物 化合物 oled 器件
【权利要求书】:

1.包含磷光性金属络合物的化合物,该磷光性金属络合物包含选自组7的单阴离子的二齿配位体,其中所述金属选自原子序数大于40的非放射性金属,并且其中所述二齿配位体包含卡宾供体并且可以与其它配位体连接而构成三齿、四齿、五齿或六齿的配位体;

组7;

其中:

E1a-q选自C和N并且一起包含18π电子体系;前提是E1a和E1p都是碳;和

R1a-i各自独立地是H、烃基、杂原子取代的烃基、氰基、氟、OR2a、SR2a、NR2aR2b、BR2aR2b或SiR2aR2bR2c,其中R2a-c各自独立地是烃基或杂原子取代的烃基,和其中R1a-i和R2a-c中的任意两个可以被连接以形成饱和或不饱和的、芳族或非芳族的环;前提是R1a-i当与N连接时不是H。

2.权利要求1的化合物,其中所述化合物选自组8;

组8;

其中:

R1a-i各自独立地是H、烃基、杂原子取代的烃基、氰基、氟、OR2a、SR2a、NR2aR2b、BR2aR2b或SiR2aR2bR2c,其中R2a-c各自独立地是烃基或杂原子取代的烃基,和其中R1a-i和R2a-c中的任意两个可以被连接以形成饱和或不饱和的、芳族或非芳族的环;前提是R1a-i当与N连接时不是H。

3.包含权利要求1或2的化合物的OLED器件。

4.包含磷光性金属络合物的化合物,所述磷光性金属络合物包含选自组9的单阴离子二齿配位体,其中所述金属选自原子序数大于40的非放射性金属,并且其中所述二齿配位体包含卡宾供体并且可以与其它配位体连接而构成三齿、四齿、五齿或六齿配位体;

组9;

其中:

E1a-q选自C和N并且一起包含18π电子体系;前提是E1a和E1p都是碳;和

R1a-i各自独立地是H、烃基、杂原子取代的烃基、氰基、氟、OR2a、SR2a、NR2aR2b、BR2aR2b或SiR2aR2bR2c,其中R2a-c各自独立地是烃基或杂原子取代的烃基,和其中R1a-i和R2a-c中的任意两个可以被连接以形成饱和或不饱和的、芳族或非芳族的环;前提是R1a-i当与N连接时不是H。

5.权利要求4的化合物,其中所述化合物选自组10;

组10;

其中:

R1a-i各自独立地是H、烃基、杂原子取代的烃基、氰基、氟、OR2a、SR2a、NR2aR2b、BR2aR2b或SiR2aR2bR2c,其中R2a-c各自独立地是烃基或杂原子取代的烃基,和其中R1a-i和R2a-c中的任意两个可以被连接以形成饱和或不饱和的、芳族或非芳族的环;前提是R1a-i当与N连接时不是H。

6.包含权利要求4或5的化合物的OLED器件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用显示公司,未经通用显示公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310131492.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top