[发明专利]一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，其特征在于，包括：

步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；

步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔内，利用所述ICP设备进行刻蚀；

步骤3，在刻蚀完成后，将芯片在去离子水中进行超声浸润；

步骤4，将超声浸润后的芯片放入冰点溴-甲醇腐蚀液中进行轻腐蚀；

步骤5，清洗经过轻腐蚀后的芯片，刻蚀完成。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中，进行超声浸润时使用的超声频率为20kHz～80kHz，功率为50W～150W。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤3中，进行超声浸润的时间为3min～6min。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，采用的冰点溴-甲醇腐蚀液的浓度为0.1%～0.4%。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，进行轻腐蚀的腐蚀时间为10s～20s。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，进行轻腐蚀时，将所述芯片置入夹具内，再将夹具放入腐蚀液中，搅拌腐蚀液使芯片各处腐蚀液分布均匀，进行腐蚀。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，利用所述ICP设备进行刻蚀时，所述ICP设备的电感耦合等离子体射频源的功率为100W～200W，下电极射频源的功率为40W～80W；所述ICP设备采用的工艺气体包括甲烷、氢气和氩气。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述甲烷：氢气=0.15～0.5。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片的衬底材料为碲锌镉，所述碲锌镉衬底材料的晶向为<111>或<211>。