[发明专利]一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件的制备方法

权利要求书

1.一种多孔结构发光器件，其特征在于是采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱制成的发光器件；其中，氧化锌采用原子层淀积工艺淀积得到，氧化锌阳极氧化铝和氧化锌相接触，阳极氧化铝可以直接从铝薄膜上生长得到，或者将铝膜置于各种不同类型的半导体衬底之上得到。

2.根据权利要求1所述的多孔结构发光器件，其特征在于所述半导体衬底材料为不同晶向的硅，或者锗、砷化镓或磷化铟。

3.根据权利要求1所述的多孔结构发光器件的制备方法，其特征在于具体步骤为：

(1) 首先用物理溅射或者真空蒸镀铝的工艺制备发光器件的铝衬底材料，

(2) 采用草酸溶液作为电解液，衬底为阳极，金或者石墨为负极；

(3) 加20-80V电压，进行第一次阳极氧化反应；

(4) 用合适温度的磷酸和铬酸混合溶液水浴加热衬底30-300分钟；

(5) 以去离子水洗净衬底； 

(6) 重复步骤(3)-步骤(4)，步骤(4)中水浴加热时间改为2-10分钟；

(7) 将制备好的衬底置于原子层淀积反应腔中，待反应腔达到0.3-2 Torr时，反应腔的工作压强保持在2-5 torr，交替脉冲式地通入Zn源和去离子水，两种源脉冲分别用惰性气体N₂隔开，吹洗反应过程中的副产物及多余气体，形成一个ALD生长周期的ZnO层；其中，形成1个周期ZnO层所需要的Zn源的ALD脉冲时间为0.2-2 s，惰性气体N₂ 吹洗时间为1-5 s；去离子水脉冲时间为0.2-2.0 s，惰性气体N₂吹洗时间为0.5-5.0 s，在150-200 ℃下进行反应，通过改变ZnO的生长周期N来控制氧化锌的厚度和电导率。

4.根据权利要求3所述的多孔结构发光器件的制备方法，其特征在于Zn源采用二乙基锌源。