[发明专利]小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

权利要求书

1.小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，所述的音叉晶片表面腐蚀步骤包括：

（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面20~30mm，滚动、超声；

（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用热水与冷水交替冲洗，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗；

所述的深层次清洁处理步骤包括：

（4）、配置处理液：将500mlH2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250mlHCL搅拌均匀；

（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次15000~20000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等；

（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗，再用去离子水流水冲洗，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干。

2.如权利要求1所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤2中的滚筒转速为45~50r/min，槽内水温75±5℃，超声波电流为2A，超声时间为30~40min。

3.如权利要求2所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤3中的热水温度为60~80℃，热水冷水交替冲洗的时间为3-5min，流水冲洗5-8min。

4.如权利要求3所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤5的超声时间为10min，超声波槽内水温40-50℃，超声波的电流为0.7A。

5.如权利要求4所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤6的纯水流水冲洗时间为3~5min，离子水流水冲洗为3~5min，二次超声的时间为5-6min，超声电流为0.7A，烘干时间为2h，温度为85℃。