[发明专利]一种谐振器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310135255.4 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN104113296B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 刘若鹏;金曦 申请(专利权)人: 深圳光启创新技术有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518034 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 谐振 器件 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种谐振器件的制备方法,包括如下步骤:S1、准备介质谐振子;S2、在所述介质谐振子表面通过溅射工艺镀上导体层,得到谐振子。该谐振子既有介质谐振子的高Q值和功率高的特点,又兼具有金属谐振子的体积小、谐振频率低的优点;而相对于化学电镀上的导体层,采用溅射电镀得到的高光洁度的表面,有利于电磁波在导体层中谐振,减少振荡损耗,谐振子的整体Q值高。

技术领域

本发明涉及谐振器件,更具体地说,涉及一种谐振器件的制备方法。

背景技术

谐振器件包括谐振子、谐振腔、腔体滤波器等,其关键参数包括谐振频率、平均功率、Q值等,其中谐振子的性能是关键。现有的谐振子主要包括介质谐振子和金属谐振子,介质谐振子通常是由微波介质陶瓷制成的介质筒,金属谐振子则通常是铜制的金属筒。前者Q值高,耐高功率,但谐振频率较高,体积大;而后者谐振频率低,体积小,但是Q值很低,且不耐高功率,容易击穿。因此如果获得一种谐振子,即具有二者的优点,同时尽可能地避开二者的缺点,是值得研发的新产品。

发明内容

本发明的目的在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种Q值高、耐高功率且谐振频率低、体积小的谐振器件的制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种谐振器件的制备方法,包括如下步骤:

S1、准备介质谐振子;

S2、在所述介质谐振子表面通过溅射工艺镀上导体层,得到谐振子。

在本发明所述的制备方法中,步骤S1具体包括如下步骤:

S11、制备介质谐振子;

S12、对所述介质谐振子表面做清洁处理。

在本发明所述的制备方法中,所述步骤S12中对所述介质谐振子表面做清洁处理是去除其表面的灰尘、油污和水分。

在本发明所述的制备方法中,所述介质谐振子的介质为介电常数大于1的材料。

在本发明所述的制备方法中,所述介质为陶瓷。

在本发明所述的制备方法中,所述步骤S2具体包括如下步骤:

S21、固定介质谐振子并放入溅射设备中;

S22、启动所述溅射设备进行溅射,在所述介质谐振子表面镀上导体层,得到谐振子。

在本发明所述的制备方法中,所述导体层的厚度大于1纳米。

在本发明所述的制备方法中,所述导体层的厚度在5~500000纳米之间。

在本发明所述的制备方法中,所述导体层的厚度在1000~10000纳米之间。

在本发明所述的制备方法中,所述谐振子镀上导体层后的表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于1微米。

在本发明所述的制备方法中,所述谐振子镀上导体层后的表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于0.4微米。

在本发明所述的制备方法中,所述谐振子镀上导体层后的表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于0.1微米。

在本发明所述的制备方法中,所述导体层的材料为金属。

在本发明所述的制备方法中,所述金属为金、银、铜或者含有金、银、铜中一种或多种的合金。

在本发明所述的制备方法中,所述导体层的材料为非金属材料。

在本发明所述的制备方法中,所述非金属材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌、导电石墨或碳纳米管。

在本发明所述的制备方法中,所述制备方法在步骤S2后还包括以下步骤:

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