[发明专利]旁置结构的子母电容式传感器无效
申请号: | 201310135438.6 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN103234597A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 陈树军;孙建华 | 申请(专利权)人: | 苏州赛智达智能科技有限公司 |
主分类号: | G01F23/26 | 分类号: | G01F23/26 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 黄春松 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 子母 电容 传感器 | ||
1.旁置结构的子母电容式传感器,包括:主电容式传感器,主电容式传感器的结构包括:主外管和位于主外管中的主内管,主内管的两端分别通过主绝缘支撑块绝缘支撑连接于主外管中,在主外管和主内管上分别设置有至少一个供液化天然气进出的通孔,主外管和主引出导线的金属屏蔽层电连接,主内管与主引出导线的金属芯线电连接,使主外管和主内管作为主电容式传感器的两个电极;其特征在于:在主电容式传感器旁还设置有子电容式传感器,子电容式传感器的高度不超过主电容式传感器高度的二分之一,子电容式传感器的结构包括:子外管和位于子外管中的子内管,子内管的两端分别通过子绝缘支撑块绝缘支撑连接于子外管中,在子外管和子内管上分别设置有至少一个供液化天然气进出的通孔,子外管和子引出导线的金属屏蔽层电连接,子内管与子引出导线的金属芯线电连接,使子外管和子内管作为子电容式传感器的两个电极。
2. 根据权利要求1所述的旁置结构的子母电容式传感器,其特征在于:子电容式传感器的高度不超过主电容式传感器高度的三分之一。
3.根据权利要求1或2所述的旁置结构的子母电容式传感器,其特征在于:在主绝缘支撑块外覆盖有与主外管相焊接的主端盖座,在子绝缘支撑块外覆盖有与子外管相焊接的子端盖座,并且其中一个子端盖座和一个主端盖座相互连接为一体。
4.根据权利要求1或2所述的旁置结构的子母电容式传感器,其特征在于:还设置有一个将主电容式传感器和子电容式传感器相互固定连接的连接板。
5.根据权利要求1或2所述的旁置结构的子母电容式传感器,其特征在于:在主内管中焊接有主电极板,主引出导线的金属芯线通过主螺钉与主电极板电连接;在子内管中焊接有子电极板,子引出导线的金属芯线通过子螺钉与子电极板电连接。
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