[发明专利]多路模拟乘除法运算电路

权利要求书

1.多路模拟乘除法运算电路，包括：晶体管Q_k、晶体管Q'_k，k=0,1..n，晶体管M_i,j、晶体管M'_i,j，i=k+1|_k=0,1..n-1，j=1,2，运放和电阻；其特征在于，所述多路模拟乘除法运算电路具有对称结构，晶体管Q_k与晶体管Q'_k结构相同，位置对称，晶体管M_i,j与晶体管M'_i,j结构相同，位置对称；晶体管Q_k发射极与晶体管M_i,1连接，晶体管Q'_k发射极与晶体管M'_i,1连接；晶体管M_i,1与晶体管M_i,2连接，晶体管M'_i,1与晶体管M'_i,2连接；偏置电流I_Bi、I'_Bi分别由晶体管M_i,1和晶体管M'_i,1输入，晶体管Q_k的发射极接电流I_k，晶体管Q'_k的发射极接电流I'_k，晶体管Q'_n发射极通过电阻接地，晶体管Q_k和晶体管Q'_k集电极接参考电平，运放输出端连接晶体管Q₀和晶体管Q'₀的基极，运放的两个输入端分别连接晶体管Q_n和晶体管Q'_n的发射极。

2.根据权利要求1所述多路模拟乘除法运算电路，其特征在于，所述运放为输出轨到轨运放。

3.根据权利要求1所述多路模拟乘除法运算电路，其特征在于，所述多路模拟乘除法运算电路为电流型模拟乘除法运算电路。

4.根据权利要求1所述多路模拟乘除法运算电路，其特征在于，所述晶体管M_i,j和晶体管M'_i,j为场效应型晶体管或双极型晶体管。

5.根据权利要求1所述多路模拟乘除法运算电路，其特征在于，所述晶体管Q_k和晶体管Q'_k为NPN型晶体管或PNP型晶体管。