[发明专利]一种减少浮栅孔洞的工艺方法

权利要求书

1.一种减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法至少包括步骤：

1）在半导体衬底的有源区上依次沉积衬垫氧化物层及氮化硅层；

2）刻蚀所述衬垫氧化物层、氮化硅层及有源区，形成至少两个倒梯形的沟槽，所述沟槽未穿透有源区；

3）填充绝缘介质材料至所述沟槽中，形成浅沟道隔离区；

4）采用选择性刻蚀工艺，刻蚀掉位于浅沟道隔离区之间的氮化硅层，同时刻蚀掉部分浅沟道隔离区，获得长方形或倒梯形的浮栅待制备区；

5）在所述浮栅待制备区中制备形成浮栅。

2.根据权利要求1所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：所述步骤3）中采用高密度等离子体沉积工艺制备形成浅沟道隔离区，填充至所述沟槽的绝缘介质材料为二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：所述步骤3）中形成浅沟道隔离区之后还包括采用化学机械抛光工艺使所述浅沟道隔离区表面平坦化的步骤。

4.根据权利要求1所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：所述步骤4）中采用的是选择性湿法刻蚀工艺，刻蚀剂为氢氟酸和磷酸的混合溶液，其中，所述氢氟酸横向刻蚀浅沟道隔离区的绝缘介质材料，所述磷酸纵向刻蚀氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：氢氟酸和磷酸的剂量比范围为1：1～1：100。

6.根据权利要求5所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：氢氟酸横向刻蚀浅沟道隔离区绝缘介质材料的速率与磷酸纵向刻蚀氮化硅层的速率之比等于b：a，其中，b是氮化硅层侧壁在水平方向的投影长度，a是氮化硅层的厚度，获得的浮栅待制备区为长方形，所述b：a的范围为1：2～1：4。

7.根据权利要求5所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：氢氟酸横向刻蚀浅沟道隔离区绝缘介质材料的速率与磷酸纵向刻蚀氮化硅层的速率之比为大于b：a，其中，b是氮化硅层侧壁在水平方向的投影长度，a是氮化硅层的厚度，获得的浮栅待制备区为倒梯形，所述b：a的范围为1：2～1：4。

8.根据权利要求1所述的减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于：所述浮栅为多晶硅栅极、非晶硅栅极或金属栅极。