[发明专利]一种高k金属栅器件金属电阻结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）于表面具有高k介质层或高k介质层/金属保护层的浅沟道隔离区表面沉积掺杂多晶硅层；

2）于所述掺杂多晶硅层的两端去除部分的掺杂多晶硅，然后于该两端形成金属电极；

3）采用选择性沉积工艺于所述掺杂多晶硅层及金属电极表面形成金属层；

4）于所述金属层表面形成绝缘层，于所述绝缘层中制作接触孔并于所述接触孔中形成通孔电极。

2.根据权利要求1所述的高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于：步骤1）所述的金属保护层为TiN层或TaN层。

3.根据权利要求1所述的高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于：步骤2）采用干法刻蚀法或湿法腐蚀法去除所述掺杂多晶硅。

4.根据权利要求1所述的高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于：步骤2）所述的掺杂多晶硅去除工艺与高k金属栅工艺中的多晶硅假栅去除工艺同时进行。

5.根据权利要求1所述的高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于：步骤3）的选择性沉积工艺为电化学沉积工艺。

6.根据权利要求1所述的高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于：所述金属层为CoWP层或CoMoP层。

7.一种高k金属栅器件金属电阻结构，其特征在于，至少包括：

浅沟道隔离区；

高k介质层或高k介质层/金属保护层，结合于所述浅沟道隔离区表面；

掺杂多晶硅层，结合于所述高k介质层或高k介质层/金属保护层表面；

金属电极，结合于所述高k介质层或高k介质层/金属保护层表面且位于所述掺杂多晶硅层两端；

金属层，结合于所述掺杂多晶硅层及金属电极表面；

绝缘层，结合于所述金属层表面，且其具有接触孔；

通孔电极；填充于所述接触孔与所述金属层连接。

8.根据权利要求7所述的高k金属栅器件金属电阻结构，其特征在于：所述的金属保护层为TiN层或TaN层。

9.根据权利要求7所述的高k金属栅器件金属电阻结构，其特征在于：所述金属层为CoWP层或CoMoP层。