[发明专利]衬底支撑设备以及衬底处理设备有效
申请号: | 201310136374.1 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN103531513A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 郑相坤;金亨源;申裕植 | 申请(专利权)人: | 吉佳蓝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 设备 以及 处理 | ||
1.一种衬底支撑设备,其特征在于,包括:底板,经配置以将衬底支撑在所述底板上,且具有冷却气体流动通过的多个供应管;顶板,经配置以可卸除地耦接到所述底板,且具有空穴以使支撑在所述底板上的所述衬底的顶表面暴露;以及密封构件,经配置以耦接到所述底板,且在所述顶板与所述底板之间以及所述衬底与所述底板之间形成冷却空间。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述顶板围绕所述底板的顶部部分以及侧面,所述冷却气体流动通过的流动路径形成在所述底板的侧面与所述顶板的侧壁之间,且所述密封构件密封所述衬底与所述顶板之间的间隙。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述顶板设有收纳所述底板的凹入的收纳部分,所述收纳部分具有比所述底板的直径大的直径,且所述流动路径形成在所述底板的侧面与所述收纳部分的侧壁之间,以通过所述流动路径将所述冷却气体供应到所述顶板的背表面的周围。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述顶板覆盖所述底板的顶部部分,所述密封构件密封所述衬底与所述顶板之间的间隙,且所述密封构件具有设置在所述顶板的周围与所述底板的周围之间的密封环。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述冷却空间包括形成在所述衬底与所述底板之间的第一冷却空间以及形成在所述顶板与所述底板之间的第二冷却空间,且所述底板包括用于将所述冷却气体供应到所述第一冷却空间的第一供应管以及用于将所述冷却气体供应到所述第二冷却空间的第二供应管。
6.根据权利要求1到4中任一项所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述底板包括环形的收纳凹部,所述密封构件的下部部分的一部分插入且固持在所述收纳凹部中。
7.根据权利要求6所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件包括插入所述收纳凹部中的下部部分以及朝所述收纳凹部的顶部部分突出的上部部分,且所述上部部分的外侧与所述顶板接触且内侧与所述衬底接触,以防止所述冷却气体泄漏到所述衬底与所述顶板之间的空间中。
8.根据权利要求7所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件的所述上部部分的横截面宽度大于、等于或小于所述下部部分的横截面宽度。
9.根据权利要求7所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件的所述上部部分的横截面形状为在顶侧左右划分的形状以及多边形、圆形和椭圆形形状中的至少一者。
10.根据权利要求7所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件的所述下部部分的横截面宽度在上下方向上具有相同宽度,或具有向下逐渐增大的宽度。
11.根据权利要求1到4中任一项所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件形成为对应于所述衬底的环形状。
12.根据权利要求1到4中任一项所述的衬底支撑设备,其特征在于,所述密封构件包括与所述衬底接触的第一密封构件以及与所述顶板接触的第二密封构件。
13.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:室,经配置以形成衬底处理空间;衬底卡盘,经配置以设置在所述室内部的下部部分中;以及衬底支撑单元,放置在所述衬底卡盘上,以将衬底定位于其中,所述衬底支撑单元具有经配置以彼此耦接而将所述衬底插入于两者之间的顶板和底板,以及具有经配置以将冷却气体供应到所述衬底以及所述顶板的每一背表面的冷却路径。
14.根据权利要求13所述的衬底处理设备,其特征在于,所述冷却路径包括:第一冷却路径,设有通过所述底板的第一供应管以及连接到所述第一供应管且形成在所述衬底与所述底板之间的第一冷却空间;以及第二冷却路径,设有通过所述底板的第二供应管以及连接到所述第二供应管且形成在所述顶板与所述底板之间的第二冷却空间。
15.根据权利要求14所述的衬底处理设备,其特征在于,所述第一供应管以及第二供应管连接到通过所述衬底卡盘的气体通道。
16.根据权利要求13到15中任一项所述的衬底处理设备,其特征在于,所述衬底处理设备包括耦接到所述底板且经配置以使所述冷却路径彼此分离的密封构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造