[发明专利]氧化石墨烯薄膜立式微纳结构气敏传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

（1）将氧化石墨烯及组装剂置于混合溶剂中，在40kHz～100kHz的频率下超声处理1h～5h，得到均匀分散的氧化石墨烯-组装剂溶液，所述的氧化石墨烯浓度为0.1mg/mL～1mg/mL，所述的组装剂浓度为2mmol/L～20mmol/L；

（2）将步骤（1）所得的氧化石墨烯-组装剂溶液在基底上成膜，60℃～120℃下加热处理1h～24h，还原自组装成膜，得到具有立式微纳结构的还原氧化石墨烯薄膜；

（3）采用微加工技术中的光刻和剥离技术，控制正负电极间以及相邻电极间的间距，在步骤（2）所得的还原氧化石墨烯薄膜表面制备金电极，得到具有立式微纳结构的化学还原氧化石墨烯薄膜气敏传感器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的组装剂为酚酞啉。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的混合溶剂为乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜中的一种或两种以上与水的混合物。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述的混合溶剂中有机溶剂和水的体积比为1：9～9：1。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的基底为玻璃片、石英片或硅片。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的氧化石墨烯-组装剂溶液在基底上通过旋涂法、流延法或喷涂法成膜。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的正负电极的间距控制在4000μm～6000μm，相邻电极的间距为50μm～500μm。

8.一种基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构气敏传感器，由权利要求1～7任一项所述的制备方法制备。