[发明专利]记录介质的制造方法和记录介质无效

专利信息
申请号: 201310136735.2 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN103377662A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 大川直树 申请(专利权)人: 索尼公司;索尼信息技术股份有限公司
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/72
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种记录介质的制造方法,包括:

制备该记录介质的基板;

在该基板的第一面侧形成第一面记录层;

在该第一面记录层上形成用于保护该第一面记录层的第一面保护层;

形成第二面,以构成该基板的第二面侧的层构造的全部或部分;

对该第一面保护层的保护性能进行去活化;以及

在该第一面保护层上形成第一面,以构成第一面的层构造的全部或部分。

2.根据权利要求1所述的记录介质的制造方法,形成该第二面包括:

在该基板的该第二面上形成第二面记录层;以及

在该第二面记录层上形成包括其他记录层的第二面层构造。

3.根据权利要求1所述的记录介质的制造方法,形成该第二面包括:

在该基板的该第二面上形成第二面记录层;

在该第二面记录层上形成用于保护该第二面记录层的第二面保护层;

对该第二面保护层的保护性能进行去活化;以及

在该第二面记录层上形成包括其他记录层的第二面层构造。

4.根据权利要求1所述的记录介质的制造方法,形成该第一面包括:

在该第一面保护层上形成包括第一面侧的其他记录层的层构造。

5.根据权利要求1所述的记录介质的制造方法,其中

该第一面保护层用表现出硬涂层性能和外来物质附着防止性能的材料形成到该第一面记录层作为该保护性能。

6.根据权利要求5所述的记录介质的制造方法,对该第一面保护层的保护性能进行去活化包括:

对该第一面保护层的该外来物质附着防止性能进行去活化。

7.根据权利要求5所述的记录介质的制造方法,对该第一面保护层的保护性能进行去活化包括:

用紫外准分子激光照射该第一面保护层。

8.一种记录介质,包括:

一个或多个记录层,形成在基板的第一面和第二面两面上;

第一面保护层,形成为与该第一面上的至少一个记录层接触;以及

第二面保护层,形成为与该第二面上的至少一个记录层接触,

其中该第一面的层构造和该第二面的层构造相对于该基板的中心对称。

9.一种由记录介质的制造方法制造的记录介质,该方法包括:

制备该记录介质的基板;

在该基板的第一面侧形成第一面记录层;

在该第一面记录层上形成用于保护该第一面记录层的第一面保护层;

形成第二面,以构成该基板的第二面侧的层构造的全部或部分;

对该第一面保护层的保护性能进行去活化;以及

在该第一面保护层上形成第一面,以构成第一面的层构造的全部或部分。

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