[发明专利]易失性存储装置及其操作方法和控制存储系统的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年4月24日在韩国知识产权局（KIPO）申请的韩国专利申请No.2012-0042411的优先权，通过引用，将其内容全部合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及到易失性存储装置，更具体地说，涉及操作易失性存储装置的方法、易失性存储装置、和控制存储系统的方法。

背景技术

最近，随着易失性存储器（例如，DRAM）的操作速度的增加，在数据被充分地存储在存储单元阵列中之前，字线可以响应于预充电命令而被停用(deactivate)。此外，随着DRAM的制造工艺变得更精细，在写入路径中增加的电阻可能会使得存储单元阵列中的数据的写入变得复杂。

发明内容

一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的操作易失性存储装置的方法。

一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的易失性存储装置。

一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的控制存储系统的方法。

操作具有存储单元的阵列的存储装置的方法可以包括：将数据写入到具有第一地址的存储单元的阵列的第一存储单元中；确定第一地址是否是一组预定地址中的一个；以及响应于所述确定，调整刷新序列（sequence），以包括如下刷新操作，从而包括用于具有第一地址的第一存储单元的第一刷新操作。

调整步骤可以包括：确定用于将在第一时间段内被刷新的一组存储单元组的刷新操作的序列是否包括第一存储单元;以及当确定存储单元组的组不包括第一存储单元时，修改刷新操作的序列，以包括用于第一存储单元的刷新操作。

第一存储单元可以是存储单元阵列的第一行的存储单元，并且调整步骤可包括：确定用于将在第一时间段内被刷新的第k到第（k+i）存储单元行的刷新操作的序列是否包括第一行；以及当确定第一行没有被包含在第k到第（k+i）存储单元行中时，修改刷新操作的序列，以包括用于第一行的刷新操作，其中，k和i是整数。

第k到第（k+i）存储单元行可以具有连续的行地址。

所述方法还可以包括内部产生刷新地址的序列，并且修改刷新操作的序列可以包括将第一地址插入到刷新地址的序列中。

所述方法还可以包括通过刷新地址的序列的地址而识别的存储单元的每隔第三时间段来执行刷新操作。

修改刷新地址的序列可以包括将第一地址插入到刷新地址的序列，使得在第三时间段内执行至少两个刷新操作。

调整步骤可以包括调整刷新序列，以在第一时间段内包括用于具有第一地址的第一存储单元的第一刷新操作，并且所述方法还可以包括利用比第一时间段大的刷新周期来周期性地刷新阵列的至少大部分的存储单元。

周期性刷新的步骤可以包括，在第一刷新操作之后，利用比第一时间段大的刷新周期来刷新具有第一地址的第一存储单元。

调整步骤可以包括调整刷新序列，以在第一时间内包括用于具有第一地址的第一存储单元的刷新操作，并且所述方法包括从执行第一刷新操作的第二时间之后，执行用于具有第一地址的第一存储单元的第二刷新操作。第一时间可以小于第二时间，并且在第一刷新操作和第二刷新操作之间可以不执行用于第一存储单元的刷新操作。

用于操作具有存储单元阵列的存储装置的方法可以包括：将数据写入到具有第一地址的存储单元阵列的第一存储单元中;确定第一地址是否是一组预定地址中的一个;确定在将数据写入到第一存储单元之后的预定时间内是否已经发生了第一存储单元的刷新操作；以及响应于确定在预定时间内没有发生刷新操作，来调度第一存储单元的刷新操作。

调度的步骤可以包括当通过存储装置执行下一个刷新操作时，调度在第一存储单元上的刷新操作。

调度的步骤可以保证刷新序列包括在从写入开始的预定时间内用于具有第一地址的第一存储单元的刷新操作，预定时间小于第二时间段；并且所述方法可以进一步包括利用大于或者等于第二时间段的刷新周期来刷新阵列的至少大部分存储单元。

操作具有存储单元的阵列的存储装置的方法可以包括：确定第一地址是否是一组预定地址中的一个；响应于确定步骤，利用第一时间窗口将数据写入具有第一地址的存储单元阵列的第一存储单元;以及利用第二时间来将数据写入到存储单元阵列的第二存储单元，其中，第二写入恢复时间小于第一写入恢复时间。第一和第二时间窗口可能分别依赖于第一和第二写入恢复时间。

所述方法可以进一步包括：从存储装置接收预定地址的组。

预定地址的组可以在存储装置的上电序列期间，通过存储控制器来接收。