[发明专利]一种超导量子干涉器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超导量子干涉器件结构，其特征在于，包括片状非超导介质膜以及附着在所述片状非超导介质膜上方的超导膜，所述超导膜具有环状结构，所述环状结构为超导环，其上有两个或两个以上对称分布的缺口。 

2.如权利要求1所述的超导量子干涉器件结构，其特征在于， 

所述超导环为圆环、方环或其它对称的多边形环。 

3.如权利要求1或2所述的超导量子干涉器件结构，其特征在于， 

所述超导环的半径大于100nm，所述缺口的长度大于20nm。 

4.如权利要求1所述的超导量子干涉器件结构，其特征在于， 

所述超导膜采用铅、锡或铌等超导材料。 

5.如权利要求1所述的超导量子干涉器件结构，其特征在于， 

所述非超导介质膜采用碲化铋或硒化铋单晶材料。 

6.一种如权利要求1～5中任意一项所述的超导量子干涉器件结构的制备方法，包括： 

步骤1，将非超导介质膜附着在衬底上； 

步骤2，在所述非超导介质膜上甩胶，用光刻技术在胶上做出超导环图样； 

步骤3，在超导环图样上方沉积上超导膜； 

步骤4，洗去胶层，保留所需的超导环。 

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于， 

所述步骤1中，采用解理、化学气相沉积（CVD）生长、沉积、分子束外延、溅射或蒸发镀膜等方法将非超导介质膜附着在衬底上。 

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于， 

所述步骤2中，所述光刻技术包括电子束曝光或紫外曝光等方式。 

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于， 

所述步骤3中，采用磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发等方式在超导环图 样上方沉积上超导膜。 

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于， 

所述超导膜采用铅、锡或铌等超导材料。