[发明专利]具有内建加强层的凹穴基板及其制造方法无效
申请号: | 201310137267.0 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103377949A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/13 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 加强 凹穴基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造凹穴基板的方法,其特征在于,包括:
提供一支撑板,其包含一牺牲载板、一加强层、一黏着层及一电性接垫;其中(i).该牺牲载板包含一凸块及一凸缘层,(ii).该凸块邻接至该凸缘层并与该凸缘层一体成型,且自该凸缘层朝一第一垂直方向延伸,(iii).该凸缘层自该凸块朝垂直于该第一垂直方向的侧面方向侧向延伸,(iv).该加强层经由该黏着层附着至该牺牲载板,该黏着层设于该加强层与该凸缘层之间以及该加强层与该凸块之间,且(v).该电性接垫朝该第一垂直方向延伸于该凸块外,且该凸块于与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向覆盖该电性接垫;
形成一无芯增层电路,其于该第一垂直方向覆盖该电性接垫、该凸块及该加强层,且该无芯增层电路与该电性接垫电性连接;以及
移除该凸块,以形成一凹穴并自该凹穴的一封闭端暴露该电性接垫与该无芯增层电路的部分,其中该黏着层侧向覆盖并环绕该凹穴,且该凹穴面朝该第二垂直方向。
2.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,该牺牲载板于该凸块中还包括一冲压凹穴,且该凸块于该第一垂直方向覆盖该冲压凹穴。
3.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,提供该支撑板的步骤包括:
提供包含该凸块及该凸缘层的该牺牲载板;
经由设于该加强层与该凸缘层之间、以及该加强层与该凸块之间的该黏着层,使该加强层附着至该牺牲载板,此步骤包含使该凸块对准该加强层的一通孔;以及
在经由该黏着层使该加强层附着至该牺牲载板之前或之后,于该牺牲载板的该凸块处提供该电性接垫。
4.如权利要求3所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,提供该牺牲载板的步骤包括:对一金属板进行机械冲压。
5.如权利要求3所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,经由该黏着层使该加强层附着至该牺牲载板的步骤包括:
在该牺牲载板的该凸缘层与该加强层之间,提供未固化的该黏着层,此步骤包含使该牺牲载板的该凸块对准该黏着层的一开口、及该加强层的该通孔;然后
使该黏着层流入位于该通孔内介于该凸块及该加强层间的一缺口;以及
固化该黏着剂,因而使该加强层机械性附着至该凸块及该凸缘层。
6.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,形成该无芯增层电路的步骤包括:
提供一介电层,其于该第一垂直方向覆盖该电性接垫、该凸块及该加强层,并包含对准该电性接垫的一盲孔;然后
提供一导线,其自该介电层朝该第一垂直方向延伸,并于该介电层上侧向延伸,且朝该第二垂直方向穿过该盲孔延伸至该电性接垫。
7.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,还包括:提供一被覆穿孔,其延伸穿过该黏着层及该加强层,以电性连接该凹穴基板的两侧。
8.如权利要求7所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,提供该被覆穿孔的步骤包括:
提供一穿孔,其朝该第一及第二垂直方向延伸穿过该黏着层及该加强层;然后
在该穿孔的一内侧壁上提供一连接层。
9.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,移除该凸块的步骤包括:一化学蚀刻程序。
10.如权利要求7所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,移除该凸块的步骤包括:同时移除该凸缘层的一选定部分,以定义出一端子,且该被覆穿孔电性连接该端子及该无芯增层电路。
11.如权利要求1所述制造凹穴基板的方法,其特征在于,提供该支撑板及该无芯增层电路的步骤包括:
提供该牺牲载板,其中该牺牲载板的该凸块处具有该电性接垫;然后
经由设于该加强层与该凸缘层之间、以及该加强层与该凸块之间的该黏着层,使该加强层附着至该牺牲载板,此步骤包含使该凸块对准该加强层的该通孔;然后
提供一介电层,其于该第一垂直方向覆盖该电性接垫、该凸块及该加强层;然后
于该介电层中形成一盲孔,其中该盲孔对准该电性接垫;以及
提供一导线,其自该介电层朝该第一垂直方向延伸,并于该介电层上侧向延伸,且朝该第二垂直方向穿过该盲孔延伸至该电性接垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造