[发明专利]一种发光二极管封装基板与封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310137420.X 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN103199187A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 夏德玲 申请(专利权)人: 安徽三安光电有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/52;H01L33/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装基板,包含:

基板本体,具有第一表面,其上分布有至少一个单元,所述每个单元对应一个发光二极管芯粒,其具有彼此相互电隔离的第一区域和第二区域;

凹槽结构,介于两个区域之间,其顶部开口宽度小于所述待封装芯粒的宽度。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装基板,其特征在于:所述凹槽结构至少具有一侧开口位于基板本体的侧壁。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装基板,其特征在于:所述凹槽结构的截面形状为矩形或者倒梯形或者倒三角形或者弧形。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装基板,其特征在于:所述凹槽结构的高度差介于50微米至300微米之间。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装基板,其特征在于:所述凹槽结构的顶部开口宽度介于100微米至1000微米之间。

6.一种发光二极管封装结构,包含:

基板本体,具有第一表面,其上分布有至少一个单元,所述每个单元对应一个发光二极管芯粒,其具有彼此相互电隔离的第一区域和第二区域;

凹槽结构,介于两个区域之间,其顶部开口宽度小于所述待封装芯粒的宽度,且凹槽结构至少具有一侧位于基板本体的侧壁;

第一导电层,位于第一区域之上;

第二导电层,位于第二区域之上;

发光二极管芯片,具有第一电极和第二电极,两个电极之间存有间隙;

将第一导电层与第一电极,第二导电层与第二电极两两对位并固晶连接;

胶材,填入至第一电极与第二电极之间的间隙及凹槽结构。

7.一种发光二极管封装结构的制作方法,包含:

提供基板本体,具有第一表面,其上分布有至少一个单元,所述每个单元对应一个发光二极管芯粒,其具有彼此相互电隔离的第一区域和第二区域;

在基板本体第一表面上形成开口,在两个区域之间形成凹槽结构,且顶部开口宽度小于所述待封装芯粒的宽度,凹槽结构至少具有一侧位于基板本体的侧壁,制得封装基板;

在第一区域之上制作第一导电层;

在第二区域之上制作第二导电层;

提供发光二极管,具有生长基板、磊晶层、第一电极和第二电极,两个电极之间存有间隙;

将第一导电层与第一电极,第二导电层与第二电极两两对位,以覆晶封装制程使得发光二极管固晶于所述封装基板上;

将胶材填入至第一电极与第二电极之间的间隙及凹槽结构,如此构成发光二极管封装结构。

8.根据权利要求7所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述胶材为环氧树脂或硅胶或前述组合。

9.根据权利要求7所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:其特征在于:利用胶材填充至第一电极与第二电极之间的间隙及凹槽结构后,还包含采用剥离制程,去除发光二极管芯片的生长基板,使其磊晶层表面裸露。

10.根据权利要求7所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述凹槽结构的高度差介于50微米至300微米之间。

11.根据权利要求7所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述凹槽结构的顶部开口宽度介于100微米至1000微米之间。

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