[发明专利]用于固态储存装置中晶体单元的群组区分方法

权利要求书

1.一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该固态储存装置中包括一中央晶体单元及其周围的多个相邻晶体单元，该中央晶体单元与所述相邻晶体单元皆可被程序为M个储存状态其中之一，且所述相邻晶体单元中包括N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元，该群组区分方法包括下列步骤：

建立一电压偏移参数对照表，其中该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表，该位置参数表对应一第一相邻晶体单元，且该第一相邻晶体单元是该N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元其中之一；

利用该N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定M^N个内部晶体单元干扰图样；

当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第一储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该M^N个内部晶体单元干扰图样的M^N个中央晶体单元阈值电压偏移；

根据该M^N个中央晶体单元阈值电压偏移将该第一储存状态区分为多个子区间；以及

将对应一第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第一群组，其中该第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第一储存状态的一第一子区间。

2.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该方法又包括下列步骤：

将对应一第二数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第二群组，其中该第二数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于一第二子区间。

3.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该方法又包括下列步骤：

当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第二储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该M^N个内部晶体单元干扰图样的M^N个中央晶体单元阈值电压偏移；

根据该M^N个中央晶体单元阈值电压偏移将该第二储存状态区分为多个子区间；以及

将对应一第二数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第二储存状态中的一第二群组，其中该第二数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第二储存状态的一第二子区间。

4.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该电压偏移参数对照表中的资料少于N×(M-1)×(M-1)笔。

5.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该第一位置参数表用以记录该中央晶体单元相邻的一第一位置晶体单元所造成的中央晶体单元阈值电压偏移。

6.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该第一位置参数表记录该中央晶体单元分别为(M-1)个储存状态对应该第一相邻晶体单元分别为该(M-1)个储存状态时的阈值电压偏移。

7.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该N等于3，且所述相邻晶体单元中的一第一位置晶体单元、一第二位置晶体单元以及一第三位置晶体单元定义为该具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元。

8.如权利要求7所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该第一位置晶体单元、该第二位置晶体单元以及该第三位置晶体单元为一左晶体单元、一右晶体单元以及一下晶体单元。

9.如权利要求8所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，其中该电压偏移参数对照表包括一左参数表、一右参数表与一下参数表，且该左参数表用以记录该中央晶体单元相邻的该左晶体单元所造成的中央晶体单元阈值电压偏移，该右参数表用以记录该中央晶体单元相邻的该右晶体单元所造成的中央晶体单元阈值电压偏移，以及该下参数表用以记录该中央晶体单元相邻的该下晶体单元所造成的中央晶体单元阈值电压偏移。