[发明专利]一种存取数据的操作方法和数据处理设备无效

专利信息
申请号: 201310138082.1 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN103268294A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 胡磊 申请(专利权)人: 深圳创维数字技术股份有限公司;深圳市创维软件有限公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 存取 数据 操作方法 数据处理 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及数据存储领域,尤其涉及一种存取数据的操作方法和数据处理设备。

背景技术

随着电子技术的发展,嵌入式系统已经越来越融入到我们的生活中,不管是工业控制装置、消费电子设备还是医疗仪器都需要用到存储设备来保存数据。通常采用闪存FLASH保存文本、图片、视频等大数据和程序,使用EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器)保存运行、系统参数等小数据。

EEPROM可以任意地址读写,操作简单方便。但是EEPROM的成本比FLASH高,对大批量生产的产品来说,使用EEPROM会增加成本。

如果可以将大容量FLASH的一部分多余的空间用来替代EEPROM,无疑会给企业节省不少的成本。

EEPROM具有掉电后数据不丢失以及可以以字节为单位修改数据的特性。RAM可以以字节为单位进行修改数据,为了模拟EEPROM,通常使用FLASH和RAM一起操作。具体地,RAM中的数据在每次改变前都会拷贝一份到FLASH中,掉电后RAM中的数据丢失,上电后,从FLASH中拷贝掉电前的数据到RAM中恢复数据。这种方法的缺点是:即使修改较少数据,比如只修改一个字节,也需要将RAM中的全部数据都拷贝到FLASH中,时间消耗大效率低,对FLASH进行写操作时通常以块BLOCK为单位进行,先擦除整个BLOCK,然后将RAM中的数据拷贝过去,当对RAM多次修改时,需要反复地擦除FLASH的BLOCK,过多地重复对FLASH进行擦除操作,会使FLASH的使用寿命下降。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种存取数据的操作方法,该方法使用FLASH和RAM模拟EEPROM,而且该方法不需要频繁地对FLASH进行擦除操作。

本发明提供的一种存取数据的操作方法,包括,

当随机存储器RAM掉电并重新上电后,将闪存FLASH中的操作数据区中的备份区中的数据拷贝到RAM中;所述FLASH预设至少两个数据区,每个数据区包括数据头区、备份区和记录区,所述数据头区包括版本信息,所述备份区中包括对该数据区进行操作前RAM中的数据,所述记录区的记录中保存了对RAM中的数据进行修改的信息;所述操作数据区是所述FLASH的各数据区中版本信息为最新的数据区;根据所述操作数据区的记录区中的记录使RAM中的数据恢复为掉电前RAM中的数据。

当修改RAM中的数据时,在所述操作数据区的记录区中增加一条新记录,该新记录包括:设置记录标志为有效、修改的数据在RAM中的地址、修改的数据的大小、和修改后所述地址中保存的数据。

其中,修改RAM中的数据之前还包括:判断要修改的数据是否大于RAM的容量,如果大于RAM的容量,则数据错误,结束修改RAM中的数据;如果要修改的数据不大于RAM的容量,则修改RAM中的数据。

其中,所述根据操作数据区的记录区中的记录更新所述RAM中的数据包括如下步骤:

读取记录区中第一条记录的记录标志,判断该记录的记录标志是否有效,如果所述记录标志有效,读取记录中表示数据容量的信息、数据在RAM中的地址信息和数据,然后将数据拷贝到所述RAM中所述数据在RAM中的地址信息所指示的位置;如果记录标志无效,则结束更新RAM中的数据;依次操作,读取下一条记录,直到记录标志无效为止,停止更新RAM中的数据。

其中,所述修改RAM中的数据,将一条新记录保存到操作数据区的记录区,包括如下步骤:

判断新记录的大小是否超出所述操作数据区的记录区中未用部分的容量,如果没有超出记录区中未用部分的容量,则将新记录保存到记录区中;

如果新记录的大小超出记录区中未用部分的容量,则切换数据区,清空另外一个数据区,并将所述另外一个数据区设置为操作数据区,将该操作数据区的版本信息设置为最新、将RAM中的数据复制到所述操作数据区的备份区,将新记录保存到记录区中,后续修改RAM中的数据时,每修改一次就存入一条新记录到记录区中。

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