[发明专利]埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种埋入式字线动态随机存取存储器，其特征在于包括：

基板；

至少一埋入式字线结构，配置于所述基板中，所述埋入式字线结构包括一埋入式字线；

第一掺杂区，邻接所述埋入式字线结构配置在所述基板中；以及

第二掺杂区，配置在所述第一掺杂区上方的所述基板中，其中所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度，且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的界面在所述基板中的深度为所述埋入式字线的顶部表面在所述基板中的深度，且所述第二掺杂区几乎不与所述埋入式字线重叠。

2.如权利要求1所述的埋入式字线动态随机存取存储器，其特征在于所述第一掺杂区的掺杂剂量为1.5×10¹²atoms/cm²～1.5×10¹³atoms/cm²。

3.如权利要求1所述的埋入式字线动态随机存取存储器，其特征在于所述第二掺杂区的掺杂剂量为1.5×10¹³atoms/cm²～1.5×10¹⁴atoms/cm²。

4.如权利要求1所述的埋入式字线动态随机存取存储器，其特征在于所述埋入式字线结构包括：

所述埋入式字线，配置于所述基板的沟道内；以及

栅介电层，配置所述沟道的底部及侧壁上，其中所述埋入式字线通过所述栅介电层与所述基板分隔。

5.如权利要求4所述的埋入式字线动态随机存取存储器，其特征在于所述埋入式字线结构还包括衬层，所述衬层配置于所述埋入式字线与所述栅介电层之间。

6.一种埋入式字线动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于包括：

提供基板，所述基板中形成有至少一埋入式字线结构，所述埋入式字线结构包括一埋入式字线；

在所述基板中形成邻接所述埋入式字线结构的第一掺杂区；以及

在所述基板中形成第二掺杂区，其中所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区上方，且所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的界面在所述基板中的深度为所述埋入式字线的顶部表面在所述基板中的深度，且所述第二掺杂区几乎不与所述埋入式字线重叠。

7.如权利要求6所述的埋入式字线动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于所述第一掺杂区的掺杂剂量为1.5×10¹²atoms/cm²～1.5×10¹³atoms/cm²，而所述第二掺杂区的掺杂剂量为1.5×10¹³atoms/cm²～1.5×10¹⁴atoms/cm²。

8.如权利要求6所述的埋入式字线动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于形成所述第一掺杂区时所提供的掺杂能量大于形成所述第二掺杂区时所提供的掺杂能量。

9.如权利要求6所述的埋入式字线动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于形成所述埋入式字线结构的步骤包括：

于所述基板中形成沟道；

于所述沟道的表面形成栅介电层；以及

于所述栅介电层上形成所述埋入式字线。

10.如权利要求9所述的埋入式字线动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于形成所述埋入式字线之前，还包括于所述栅介电层的表面形成衬层。