[发明专利]半导体晶圆级封装结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310138416.5 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219304A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 肖智轶;王晔晔;范俊;赖芳奇;黄小花;房玉亮;顾明磊;陆明;廖建亚;沈建树 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶圆级 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体晶圆级封装结构，包括硅基材（1），该硅基材具有两个相对的表面，该硅基材的其中一个表面上设有金属焊垫（3），其特征在于：在所述硅基材的另一个表面上对应所述金属焊垫位置处设有一漏斗型垂直深孔（4）连通所述金属焊垫，且该漏斗型垂直深孔靠近所述硅基材另一个表面的一段沿平行所述硅基材表面的截面的半径从靠近所述金属焊垫一侧到远离所述金属焊垫一侧逐渐变大，另在该漏斗型垂直深孔的侧壁以及硅基材的另一个表面上均覆盖一层绝缘材料（5）。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆级封装结构，其特征在于：所述绝缘材料的厚度大于3微米。
3.一种如权利要求1所述的半导体晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①先准备一硅基材（1），该硅基材具有相对的两个表面，其中一个表面上设有金属焊垫（3）；
②在所述硅基材的另一个表面上覆盖一层光刻胶(2)，通过光刻的方式在对应金属焊垫正上方形成光刻胶图形；
③通过混合型硅刻蚀，在已经有图形的光刻胶下面形成漏斗型垂直深孔（4）连通所述金属焊垫；
④在所述漏斗型垂直深孔和硅基材的另一个表面上均覆盖一层绝缘材料（5），如图3所示；
⑤采用刻蚀方法，使漏斗型垂直深孔底部绝缘材料开窗，并保证孔其他位置的绝缘材料覆盖完好。
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤①至⑤中温度均小于150℃。
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