[发明专利]一种Ta-Mo-N复合涂层及其制备方法

权利要求书

1.Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于采用高纯Ta靶和高纯Mo靶共溅射，与真空室中Ar气和N₂混合气体中的N₂气反应生成Ta-Mo-N，沉积在金属、硬质合金或陶瓷的基体上形成；该涂层的硬度为30～34GPa，常温下的摩擦系数为0.4～0.5且随温度升高而降低。

2.根据权利要求1所述的Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于Mo元素的原子百分比为0～66.45at%且大于0。

3.根据权利要求1所述的Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于Mo元素的原子百分比为为30.24at%～66.45at%。

4.根据权利要求1所述的Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于氩气和氮气的混合气体中氩气分压为(0.5-1.5)×10^-1Pa，氮气分压为(2-4)×10^-2Pa，工作气压保持在0.3Pa。

5.根据权利1所述的Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于在基片上预先沉积100～120nm的纯Ta作为过渡层，然后再沉积1～3μm TaMoN复合膜。

6.根据权利1所述的Ta-Mo-N复合涂层，其特征在于Ta靶功率固定为100W，Mo靶功率范围为40-120W。

7.权利要求1所述Ta-Mo-N复合涂层的制备方法，其特征在于是采用高纯Ta靶和高纯Mo靶共溅射，与真空室中Ar气和N₂混合气体中的N₂气反应生成Ta-Mo-N，沉积在金属、硬质合金或陶瓷的基体上形成。

8.根据权利要求7所述的Ta-Mo-N复合涂层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）采用高纯Ta靶和Mo靶作为共溅射；

（2）以金属、硬质合金或陶瓷为基体，表面抛光、清洗、晾干后安装在可旋转基片架上；

（3）真空室内抽真空后，通入高纯Ar和N₂；

（4）开启装有靶材的溅射源，在基片上沉积TaMoN复合膜。

9.根据权利8所述的Ta-Mo-N复合涂层的制备方法，其特征在于，氩气和氮气的混合气体中氩气分压为(0.5-1.5)×10^-1Pa，氮气分压为(2-4)×10^-2Pa，工作气压保持在0.3Pa；

需要在基片上预先沉积100～120nm的纯Ta作为过渡层，然后再沉积1～3μm TaMoN复合膜；

Ta靶功率固定为100W，Mo靶功率范围为40～120W。