[发明专利]光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板有效
申请号: | 201310138465.9 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103236398A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 吴泰必 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩掩 模板 制作方法 方法 制作 | ||
技术领域
本发明涉及平面显示装置领域,尤其涉及一种有机发光显示面板蒸镀用的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板。
背景技术
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)及有机发光显示装置(OLED,Organic Light Emitting Display)。
请参阅图1,现有的有机发光显示装置一般包括:玻璃基板900、形成于玻璃基板900上的透明导电层902、形成于透明导电层902上空穴传输层(HTL,Hole Transport Layer)904、形成于空穴传输层904上的有机发光层(EML,Emitting Material Layer)906、形成于有机发光层906上的电子传输层(ETL,Electron Transport Layer)908及形成于电子传输层908上的阴极(Cathode)909,其中,所述透明导电层902为有机发光显示装置的阳极(Anode),其一般由铟锡氧化物(ITO,Indium Tin Oxide)形成,当该有机发光显示装置受到直流电(DC,Direct Current)所衍生的顺向偏压时,外加的电压能量将驱动电子(Electron)与空穴(Hole)分别由阴极909与阳极902注入有机发光显示装置,当电子与空穴两者在传导中相遇、结合,即形成所谓的电子-空穴复合(Electron-Hole Capture)。而当有机发光层906的化学分子受到外来能量激发后,如果电子自旋(Electron Spin)和基态电子成对,则为单重态(Singlet),其所释放的光为荧光(Fluorescence);反之若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行,则称为三重态(Triplet),其所释放的光为磷光(Phosphorescence)。当电子的状态位置由激态高能阶回到稳态低能阶时,其能量将分别以光子(Light Emission)或热能(Heat Dissipation)的方式放出,其中光子的部分被用于显示功能。
在有机发光显示装置的生产制程中,蒸镀被广泛应用,其通过在光罩掩模板上设置具有与各层所要求的预定图案相对应的蒸镀孔隙来限定蒸镀区域,从而在基板上形成所需图案。
通常蒸镀制程是在真空室内进行,以基板的底面作为蒸镀面,而将光罩掩模板设置于蒸镀面与蒸发源之间,进行蒸镀时,是将蒸发源加热使蒸镀材料蒸发,并经由光罩掩模板的蒸镀孔隙附着于蒸镀面上,进而在蒸镀面上形成所需要的图案。
请参阅图2,为现有的一种光罩掩模板的结构示意图,其一般由玻璃、石英、氟化镁或氟化钙等热膨胀系数与加工元件基板相同或在其下的材料制成,其上以矩阵形态配置有多个工作单元11,在工作单元11中,以向内部凹设的形态形成一厚度约在50-500μm的遮蔽层12,并于该遮蔽层12上镂刻有与所要求的预定图案相对应的贯穿空槽作为蒸镀孔隙13,为了防止工作单元11变形而导致蒸镀精度偏差,在工作单元11的周缘形成具有较大厚度约在50μm-数公分(cm)的肋部14。在使用时,光罩掩模板由支持机构(未图示)固定于加工元件基板的蒸镀面下,但由于其较薄,不易对位固定,安装耗时较长,生产成本相对较高。
为了解决上述问题,出现了一种由磁力吸附固定的光罩掩模板,其由磁吸材料制成。如图3与图4所示,该光罩掩模板上设有数个有效开口区100及设于有效开口区100之间的无效区300,所述有效开口区100上设有对应预定图案的蒸镀孔隙(未图示)。蒸镀前通过磁板(未图示)吸付光罩掩模板有效开口区100,使得该有效开口区100完全平贴于基板上,以避免阴影效应(shadow effect)。所述有效开口区100的尺寸大小依据基板(未图示)有效区设置。然而,由于有效开口区100设有数个蒸镀孔隙,这就使得有效开口区100的质量与两有效开口区100之间的无效区300质量不同,在磁力吸付光罩掩模板时会导致质量不同区块吸附先后顺序不一,造成有效开口区100未能有效平贴于预定位置,进而导致像素(pixel)位置偏移。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光罩掩模板的制作方法,其通过对无效区进行半蚀刻,降低制得的光罩掩模板的有效开口区与相邻的无效区的质量差异,有效避免光罩掩模板在吸附时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致的吸附顺序不一的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造